薄膜铌酸锂：单波400G的必选项！电光调制器升级决定下一代光互联！

材料体系升级是光通信突破单波400G的关键！当前业界对CPO与可插拔光模块的讨论多聚焦于功耗、成本与部署灵活性的权衡，我们认为这仅是光通信演进的议题之一。真正的技术分水岭在于单波长通道带宽的代际跃升——从单波100G到200G，再到亟待突破的单波400G（需支持60GBaud以上符号速率与64QAM等高阶调制）。这一跨越对电光调制器提出极限要求：超宽带宽（>70GHz）、极低啁啾、高线性度与低驱动电压，而材料体系的革新正是破局关键。

现有主流方案面临显著瓶颈：1）磷化铟（InP）：虽具备直接调制能力，但材料载流子迁移率与器件寄生效应限制其带宽进一步提升；高制造成本、晶圆尺寸小、与CMOS工艺兼容性差，难以支撑400G所需的高集成度与规模化部署。2）硅光（SiPh）：依赖载流子色散效应实现调制，电光效率低导致调制器长度长、半波电压高（>3V），带宽普遍受限于50GHz以下；同时线性度不足易引入信号失真，难以满足高阶调制对低误码率的严苛要求，且温度敏感性进一步制约稳定性。

破局之道在于薄膜铌酸锂（LNOI）与硅光的异质集成：LNOI凭借铌酸锂本征的强电光效应（系数较硅高2–3个数量级），可实现>100GHz调制带宽、亚伏级驱动电压与优异线性度，完美适配单波400G+的高速高阶调制需求；而通过异质集成技术，将LNOI高性能调制器与硅光平台的低损耗波导、探测器及CMOS电子电路协同封装，既保留硅基工艺的高集成度与成本优势，又规避单一材料的物理局限。

安孚科技（异质集成+硅光芯片设计）、天通股份（铌酸锂晶圆）。