英飞凌（Infineon）旗下的 CoolSiC MOSFET 功率芯片，已被日本知名汽车制造商丰田（Toyota）应用于其新款 bZ4X 车型之中。这些碳化硅（SiC）芯片被巧妙地集成于车辆的车载充电机（OBC）以及 DC/DC 转换器内。
碳化硅材料具备低损耗、高耐热性以及高电压承载能力等显著优势。借助这些优势，此项技术能够有效延长车辆的续航里程，同时大幅缩短充电所需时间。英飞凌汽车业务首席销售官兼执行副总裁彼得·谢弗（Peter Schaefer）宣称：“我们深感自豪，作为全球首屈一指的汽车制造商之一，丰田毅然选择了英飞凌的 CoolSiC 技术。碳化硅极大地增强了电动汽车的续航能力、运行效率以及整体性能，故而它无疑是未来出行领域至关重要的构成部分。”
技术细节芯片结构英飞凌的 CoolSiC MOSFET 采用了先进的沟槽栅极（trench gate）结构。
优势这种独特的结构成功降低了导通电阻以及芯片尺寸，进而有效减少了导通损耗与开关损耗，对提升汽车电源系统的效率起到了积极的推动作用。
驱动简化优化后的寄生电容和栅极阈值电压能够支持单极性栅极驱动，极大地简化了驱动电路，为车载充电机和 DC/DC 转换器实现高密度、高可靠性设计提供了有力支撑。
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