长鑫3GB颗粒杀疯了！单条24GB DDR5实测：8000MHz起步，超频直接破11300MT/s
国产内存这次直接把全球存储行业的天花板给捅破了。
我身边那帮天天泡在攒机圈的哥们最近全炸了——长鑫新出的3GB颗粒，单条24GB DDR5，出来之后几乎找不到对手。
官方标称的8000Mbps频率根本就是留了一手的保守数，实测极限超频直接冲到11302MT/s，性能几乎追平海力士最新的M代3GB颗粒。
之前还敢出来碰瓷的三星、美光、南亚，现在连上桌跟它比性能的资格都没有。
这次测试用的是光威即将推出的龙武ERGB特别纪念版内存，搭配七彩虹CV8701 WOC主板和华硕X670E Gene主板。
别家同规格内存刚上市，敢标个6000频率都要吹上好几个月，长鑫这颗新颗粒的潜力，说一句离谱真的一点都不夸张。
最让人惊喜的还是它的电压控制，简直像开了挂。
4200C22的配置下，只需要1.2伏就能稳稳跑满，换成海力士同参数的颗粒，至少要1.3伏以上才能稳住。
要是把电压加到1.3伏甚至1.4伏，还能继续收紧小参，性能还能再往上跳一大截。
拉到4400C22的时候，1.25伏轻轻松松就能过测，连内存温度都没怎么明显上升。
到6000C28，也就1.4伏的电压就能稳跑，别瞎折腾什么6000C26，要加到1.53伏以上，最后延迟才快1纳秒，纯纯费电又没用，完全没必要。
冲到8000C36，1.45伏就能稳定运行，效能跟6000C28比一点都不落下风。
甚至拉到8400C38，1.47伏就能过测，性能还更高，就是特别挑CPU体质，绝大多数AMD平台根本跑不动。

到极限超频环节，我看完测试数据直接看傻了。
用七彩虹CV8701 WOC主板，双通道直接拉到10000频率CL52，稳稳过测。
你敢信？去年长鑫的颗粒跑6400还要挑体质、看运气，现在三星美光还在6000频率的段位里卷得头破血流，长鑫随随便便就摸到了10000的门槛。
换华硕X670E Gene主板，单根内存超外频直接冲到10701MT/s过测，极限进系统的频率更是飙到11302MT/s，是靠55倍频加102.7外频堆出来的成绩。
这时候根本不是内存到极限了，是AMD的内存控制器先顶不住，CPU都快烧冒烟了，要是换Intel平台来测，频率肯定还能再往上冲一大截。

兼容性这块也给普通玩家摸得明明白白。
这次送测的版本EXPO预设是8000C40和8200C40，后续市售版会换成更通用的6000C36，对普通用户更友好。
哪怕是BIOS没更新、连混合模式都切不了的铭瑄B850M A+主板，开个EXPO就能正常跑满，一点问题都没有。
铭瑄B650M终结者、B650 EM天选这些主流板更是随便造，开了内存优化之后效能还能再上一个台阶，也就华硕的主板有点轴，开自动优化也不会动TREFI参数。
至于那种三四百块的杂牌丐板，开EXPO、手动输6000C36参数全蓝屏，根本进不去系统。
不过话说回来，愿意花两千块买单根旗舰内存的玩家，谁也不会抠搜到配个三四百的丐板，这点小问题基本可以忽略。

满打满算才过去一年，长鑫就从刚摸到6000频率、和美光平起平坐的水平，直接进化到10000频率都能随便跑的段位。
以前想要高性能DDR5内存，只能被海力士一家垄断抬高价，现在咱们国产自己的颗粒顶上来了，以后攒机的好日子真的要来了。
你们之前买高频内存的时候，有没有被外资颗粒的离谱溢价坑过？