中国突破1纳米铁电芯片技术！全球最小栅长+超低功耗 。据报道，北大团队研制出全球首款1纳米栅长铁电晶体管，三大突破或将改写芯片历史： • 性能颠覆：工作电压仅0.6V，能耗较传统芯片降低百倍，纳秒级完成数据翻转 • 结构革命：首次实现存储与逻辑单元同电压直接交互，破解"冯诺依曼瓶颈" • 能效跃升：数据搬运能耗占比从60%降至趋零，同步解决"存储墙"与"能耗墙"
这项技术标志着硅基芯片物理极限被突破，铁电材料二维化更开启后摩尔时代。国产芯片正以"存储计算一体化"的创新架构，为AI、高性能计算提供全新解决方案。
