我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！ 李爱珍出生于福建石狮，1958年复旦大学化学系毕业后进入中国科学院上海冶金研究所，从事稀土金属冶金研究。1963年起转向半导体领域，重点攻关化合物半导体材料。早期她主要负责锑化铟单晶生长、高迁移率材料制备以及相关光电器件应用。1970年代后期，她开始系统开展化合物半导体外延薄膜研究，先后掌握液相外延和气相外延技术，研制出多种薄膜材料并实现微波器件和发光二极管的批量生产。这些成果在1978年至1984年间产生明显经济效益，为国内化合物半导体产业奠定基础。 1980年，44岁的李爱珍公派赴美国卡内基梅隆大学电子工程系做访问学者，师从国际知名半导体专家米尔纳斯教授，系统学习分子束外延技术。该技术能实现原子层精度生长超晶格、量子阱和异质结材料，是当时最前沿的半导体制备手段。1982年学成回国后，她立即投入国产分子束外延设备的研制工作。1982年至1989年，她频繁往返上海与沈阳科学仪器厂，参与真空系统设计、束流控制、源炉优化等关键环节。1989年设备通过验收并投入使用，技术指标达到当时国际水平，直接推动西方逐步解除对中国该设备的出口限制。 1990年代中期，李爱珍将研究重心转向中远红外量子级联激光器。1995年，她已接近60岁，仍带领团队从基础物理原理出发，开展材料生长、结构设计和器件制备攻关。2000年左右，课题组成功研制出5至8微米波段量子级联激光器材料，实现亚洲范围内首次独立突破。该成果在国际上获得高度评价，被认为是她在半导体量子结构领域的代表性贡献之一。她在该领域发表论文200余篇，获得多项国家科技进步奖和发明专利，还长期担任863计划电子、光子材料专题负责人。 从1999年起，李爱珍连续四次参与中国两院院士增选。1999年、2001年、2005年三次申请中国科学院院士，2003年申请中国工程院院士。每次增选，她都得到多位资深院士支持，包括王占国、吴德馨、秦国刚、干福熹、阙端麟、邹世昌、郭景坤等七位院士先后为她撰写推荐信。这些推荐信详细列举了她在分子束外延国产化、量子级联激光器材料研制等方面的具体贡献。但按照当时规则，65岁以上候选人需至少六位院士联名推荐才能进入有效评审范围。尽管推荐人数已达标，她仍四次止步于第一轮遴选，甚至未能进入初步候选名单。 李爱珍把绝大部分时间投入实验室，指导学生实验、分析生长数据、优化设备参数，对学术圈社交活动参与极少。同事反映，她日常工作节奏固定，早晨检查超高真空系统，记录束流比例，晚上处理谱图数据。这种专注实验的习惯，使她在人脉资源上相对薄弱，而院士评选机制中推荐环节权重较高，导致她在多次增选中未能突破早期关口。 2007年5月1日，美国国家科学院公布新一届院士名单，李爱珍作为外籍院士当选，成为首位获此荣誉的中国女性科学家。美国国家科学院采用匿名提名制，不接受个人申请，不考察行政职务和年龄，只评估候选人对科学前沿的实际推动力和国际影响力。她通过电子邮件得知消息。 消息公布后，国内多家媒体集中报道，焦点集中在她四次落选国内院士却获国际最高学术机构认可的反差上。采访中，她表示全部科研工作依赖国家提供的平台、经费和团队支持，所有成果都服务于国内科技发展，并以“感谢祖国的栽培”回应外界提问。这句话被广泛引用。 当选美国国家科学院外籍院士后，李爱珍没有改变国籍，也没有接受海外长期邀请。她继续留在中国科学院上海微系统与信息技术研究所，以研究员身份指导中红外光电器件相关课题。退休手续虽于2001年办理，但实验室仍保留给她使用。她指导博士生和年轻研究人员完成量子结构材料生长实验，检查设备运行参数，分析激光器材料测试数据。 2003年，她当选亚洲太平洋材料科学院院士，2004年获得第三世界科学院工程科学奖。这些国际荣誉进一步肯定了她的学术地位。她始终坚持在国内开展研究，把工作重心放在半导体材料前沿，直至晚年仍参与课题讨论和成果总结。