国产DRAM内存重大突破！第五代存储平台量产国产内存迎来里程碑突破来源：证券时报9月27日消息，长鑫科技第五代DRAM存储技术平台（G5）正式实现量产，国产高端内存芯片迎来关键跨越。依托全新四重曝光工艺，芯片阵列微缩至11.95纳米级别，晶圆产出芯片数量相比上一代提升50%，同步推出LPDDR5X高速内存产品。DRAM内存是电脑、手机、车载芯片不可或缺的核心元器件，此前高端市场长期被海外企业占据。研发团队历经多年攻坚，攻克微缩工艺、良率控制等多项技术难题，整套工艺与设备实现自主可控。本次量产落地，能够有效降低国产终端厂商的内存采购成本，在智能手机、新能源车、服务器等领域加速国产化替代。业内人士表示，G5平台的投产，标志国产内存正式迈入国际第一梯队。存储芯片是数字产业底座，此次突破补齐国内半导体产业链重要一环，持续夯实我国信息技术产业自主根基。