荷兰光刻机巨头ASML曾经表示，现在在美国的技术封锁下，中企想获取EUV光刻机几乎不可能了，但是中国一直没有放弃，研发投入每年增速超过20%。

很多人把光刻机理解成芯片生产线上的一台昂贵设备，实际上，它更像是一道横跨光学、材料、机械、软件和精密测量的综合考题。尤其是EUV光刻机，缺少任何一个关键环节，整套系统都无法稳定工作。
 
因此，当荷兰光刻机巨头ASML表示，中国企业很难获得EUV设备时，这不是普通的商业供货问题，而是先进芯片产业链被人为切断了一个关键入口。
 
2026年6月，ASML再次公开说明，公司从未向中国大陆交付过EUV光刻机，也没有向中国大陆出口专门用于EUV系统的组件、模块或设备。
 
换句话说，在美国持续推动出口限制、荷兰实施许可审查的情况下，中企通过正常采购渠道拿到ASML的EUV光刻机，现实中几乎没有可能。
 
这套限制并不是突然出现的。美国从2018年前后开始向荷兰施压，阻止ASML对华交付EUV设备。此后，限制范围逐渐扩大到部分高端浸没式DUV光刻机以及测量、检测等相关技术。 
 
荷兰政府从2023年9月开始实施国家出口许可措施，2025年4月又扩大了管制范围。荷兰方面强调，许可制度并非面向所有国家的全面禁售，但在实际操作中，中国大陆获得先进光刻设备的空间被压得越来越小。
 
ASML对此并不避讳，2025年4月，公司首席执行官克里斯托夫·富凯曾表示，中国研制EUV光刻机还需要“很多很多年”。他还提到，能够产生极紫外光，或者制造个别反射镜，并不等于已经拥有可用于晶圆厂生产的成熟设备。
 
EUV真正难的地方，恰恰是让数万个部件长期协同运行，并且保证速度、精度、良率和稳定性同时达标。这句话不算夸张。EUV采用约13.5纳米波长的极紫外光，光线会被空气和普通镜片吸收，因此设备内部要维持高真空，光路也不能使用常规透镜，只能依靠多层反射镜传递。
 
光源需要用高能激光连续击打高速运动的微小锡滴，工件台又要托着晶圆高速移动，同时把误差控制在纳米尺度。实验室里出现一次图形不算完成，能否每天连续曝光大量晶圆，才是产业化的分水岭。
 
高端DUV设备配合多重曝光，也能继续向更小制程推进，只是步骤会明显增加，掩模数量、生产成本和缺陷控制难度随之上升。富凯在2024年谈到这条路线时给出的判断很直接，技术上可以继续做，经济上却会越来越不划算。 
 
问题到了这里，中国只有两个选择。一个是接受长期依赖，在别人划定的设备范围内发展；另一个是从整机、零部件、材料和工艺同时补课。
 
现在看到的情况很清楚，中国选择了后者，而且并没有把希望全部压在某一台国产EUV设备何时出现上。光刻机只是晶圆制造中的一道工序，刻蚀、薄膜沉积、清洗、离子注入、量测和缺陷检测同样重要。
 
只盯住EUV，容易忽略国产半导体装备正在发生的变化。国内企业正在把研发资金投向更多基础环节，先解决能进入生产线的问题，再通过客户验证逐步提高性能。
 
这种推进速度不一定适合制造轰动消息，却更接近工业设备真实的成长路径。标题中提到“研发投入连续年增超20%”，这里必须把口径说明白。 
 
中国全社会研发经费并不是每年增长20%以上，国家统计局公布的数据显示，2024年全国研发经费为3.613万亿元，同比增长8.3%。
 
超过20%的增速，主要出现在部分半导体装备头部企业，而不是全国研发投入的统一水平。北方华创就是一个较有代表性的样本。公司2023年研发投入约44.10亿元，同比增长23.66%；2024年研发投入约53.72亿元，同比增长21.82%；到了2025年，研发投入增至72.77亿元，同比增长34.74%，占当年营业收入的18.49%。
 
连续三年超过20%的增长，说明外部限制越紧，企业越不敢在研发上停手。当然，北方华创并不生产EUV整机，它主要覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗等装备。
 
引用这组数据，不是为了宣布国产EUV已经临近量产，而是说明中国半导体产业的投入方式已经改变。过去更容易受关注的是芯片设计，如今越来越多资金、工程师和生产资源正在进入装备、材料和零部件领域。
 
底层能力不补齐，再漂亮的芯片设计也很难稳定落地，还有一点经常被忽略，追赶ASML不是追赶一个静止目标。2026年第二季度，ASML研发费用达到约13亿欧元，公司当季销售额为93亿欧元，并继续扩大EUV和下一代High NA EUV的投入。