我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示感谢祖国的栽培！ 李爱珍1936年5月出生于福建省石狮市永宁镇港边村一个华侨家庭。1958年她从复旦大学化学系毕业，分配到中国科学院上海冶金研究所（后更名为上海微系统与信息技术研究所），从研究实习员起步，一步步做到研究员，从事半导体材料研究超过50年。 早期她主要开展单晶和微米尺度III-V族异质结构材料的研究工作，涉及化合物半导体材料、器件及其应用。60年代她专注高纯高迁移率半导体单晶生长，70年代转向薄膜材料的外延生长技术，包括液相外延和气相外延，并推动相关成果在微波器件和发光二极管中的应用，还参与下厂建生产线的工作，取得一定经济效益。 80年代初，她获得机会作为访问学者前往美国卡内基梅隆大学电子工程系，师从国际半导体权威米尔纳斯教授，接触并深入学习分子束外延技术。这一技术对生长原子层尺度的量子结构材料至关重要，当时西方对中国实施禁运。她回国后参与创建分子束外延半导体微结构材料和器件实验室，与相关研究所同行合作，在沈阳科学仪器厂等地开展设备研制工作。1989年，国产分子束外延设备通过验收，这项成果推动了我国在该领域的进展，也促使西方后来解除相关出口限制。 90年代起，她的研究重点转向中远红外量子级联激光器材料、器件及相关物理。她带领课题组从零起步，利用气态源分子束外延技术，攻克多层量子结构生长中的精度控制难题。2000年前后，团队成功研制出5至8微米波段半导体量子级联激光器，实现亚洲在这一领域的零的突破。卓以和等专家曾指出，世界上能独立完成此类高难度工作的实验室不多，李爱珍团队的成果对中国贡献显著。 李爱珍发表论文200多篇，获授权国家发明专利多项，获得国家科技进步奖、国家发明奖等5项，以及省部级奖项。她还担任过国家863计划新材料领域电子材料、光子材料专题负责人，参与创建信息功能材料国家重点实验室，多次在分子束外延国际会议和中红外光电材料和器件国际会议中担任重要职务，2010年担任该国际会议主席。她培养的学生在国内外科研机构发挥作用。 从上世纪90年代末到2005年左右，李爱珍连续四次被推荐参选中科院院士评选，但均未通过。她在半导体领域的成果主要集中在化合物半导体量子结构和中红外激光器等专业方向，这些工作在国内条件有限的情况下逐步推进，体现了长期坚持的积累。 2007年5月1日，美国国家科学院公布增选结果，她当选外籍院士。这是该院主动遴选的荣誉，不接受个人申请，通过院士提名和严格背对背评审，在全球范围内选择对科学事业有卓越持续贡献的代表。她成为首位获此荣誉的中国女科学家，也是当时唯一没有国内院士头衔的中国大陆科学家。 面对这一消息，李爱珍表示成果主要依靠国内平台完成，感谢祖国的栽培。她强调没有国家提供的科研环境、项目经费和团队支持，就不会有这些进展。她继续留在上海微系统所工作，没有接受国外实验室的高薪邀请，坚持在国内开展研究。 当选后，李爱珍的生活和工作节奏保持稳定。她婉拒了国外的邀请，继续指导研究，强调为国家在科技领域争取位置的重要性。她多次提到，院士头衔是一种肯定，但科研的根本在于长期投入和实际贡献，不能期待短期回报。她对推荐她参选国内院士的专家表达过愧疚，因为他们多次支持她的材料，却未能如愿。 这些年，她在相关国际会议上介绍中国团队的进展，推动学术交流。她的学生分布在复旦大学、贝尔实验室等机构，成为所在领域的骨干。她坚持在岗位上贡献力量，成果留在国内，为半导体材料和器件的发展添砖加瓦。