中科院公布关键信息，直戳EUV光刻机“核心”，最大输家出现

在2019年的时候，伴随着特朗普对我国企业展开芯片封锁行动，一时间让全球市场都变得风声鹤唳，同时EUV光刻机这个“深藏”半导体产业链背后的“大家伙”也被媒体推上了台前。

一时之间，EUV光刻机被推上“神坛”，坊间普遍认为，“只要国产EUV光刻机突破，我们所面对的芯片封锁将瞬间瓦解”，这个理解，对也不对，不对是因为，半导体产业链是较为冗长的，不是单单某一个设备国产化就可以实现破局的，其中包含的上下游产业链以及技术众多。

说对是因为，在整个半导体产业链中，难度最大的目前来说就是EUV光刻机了，毕竟，通过过去6年的实践我们已经发现，无论是上游的指令集架构、EDA软件还是下游的刻蚀机、离子注入机等，其实我们想要突破，并不难，反而是EUV光刻机迟迟因为技术问题卡壳。

而2020年时任ASML CEO的Peter Wennink 称：“中国不可能独立复制我们的技术，因为涉及数万项专利和全球供应链协作。”西方媒体更是不断渲染，“中国无法自主突破”的假消息。

这些说法和内容，让当时的大众如鲠在喉，所以，当时中科院白春礼院士也是提出将光刻机技术放在了技术攻克的最高优先级。

所以，在过去几年里，我们在国产EUV光刻机的突破中，投入了大量的人力物力，同时也取得了很大的成绩，例如2024年底，哈工大方面传来的通过高压电极放电产生锡（Sn）等离子体，释放EUV光子的技术，清华大学基于同步辐射原理，通过电子束周期性微聚束产生相干EUV光。

但是，真正让欧美感到压力山大的突破似乎来自于2025年4月29日，中科院方面传来的一则消息，因为《中国激光》杂质在今年第六期刊登了一篇研究论文称，中国研究人员已经建立了一个运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台。

香港《南华早报》更是对此报道时则认为，中方这一研究成果“突破了自主生产先进芯片的障碍”。

那么，这次的突破到底为什么会引起媒体如此大的反响呢？首先，需要知道的是，在整个EUV光刻机系统中，最困难的技术就是EUV光源，所以，攻克了光源基本上就算是拿下了EUV光刻机一大半的技术了。

而这一次中国科学院上海光学精密机械研究所林楠团队成功开发了LPP-EUV光源，是利用固体激光驱动LPP-EUV光刻光源，该技术的优势在于和ASML采用了完全不同的技术解决方案，完全绕过了ASML的专利，并且转换效率比ASML更高，与现有的半导体产业链的兼容性也是最强的。

这意味着什么呢？意味着完全不需要开辟新的半导体产业链来适应国产EUV光刻机的突破。大大提升了国产半导体产业链的破局速度。

而伴随着我们的突破，最大输家也要出现了，而这个最大输家就是德国通快，因为当下ASML公司的EUV光源就是该公司供应的，未来当我国的EUV光源技术落地，ASML无疑要面对新的光源方案选择，毕竟一直以来凡是我国突破的技术，都会对整个市场进行重新洗牌。

而除了德国通快以外，日本的佳能、尼康，台湾台积电，韩国三星电子，美国高通、英特尔等都将成为输家，因为，国产EUV光刻机的突破，带来的将是全球芯片产业链的重构与“东迁”，欧美在半导体领域的垄断时代将彻底被打碎。这也将直戳美国命门。