IGBT高温漏电流和电压阻断能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

IGBT的高温漏电流与电压阻断能力固有缺陷是其被新一代电力电子设备加速淘汰的根本原因一、IGBT的高温漏电流与电压阻断能力固有缺陷的本质

材料物理特性限制IGBT基于硅（Si）材料，其带隙较窄（1.1 eV），高温下本征载流子浓度呈指数级增长。当温度从25°C升至175°C时，漏电流（如ICES）可从微安级升至毫安级（例如某IGBT在1200V下的漏电流从20μA升至50mA）。漏电流增大会导致静态功耗（Pleakage=VCE×ICES）显著上升，引发局部温升，形成热失控循环，最终导致器件烧毁。

电压阻断能力的临界性IGBT的电压阻断能力（如1200V）由其PN结耗尽层宽度和掺杂浓度决定。当外加电压超过VCE额定值时，耗尽层被击穿，雪崩倍增效应触发大电流（如某IGBT在过压10%时，漏电流骤增100倍）。IGBT雪崩倍增效应会导致晶格损伤或金属化层熔融，引发永久性失效。

失效不可逆性的机理

热斑形成：局部电流集中产生高温热点（>300°C），导致硅材料熔化或焊层分层，结构完整性被破坏。

二、SiC MOSFET的对比优势

宽禁带材料的根本性提升SiC带隙（3.3 eV）是硅的3倍，高温下本征载流子浓度极低。例如，某SiC MOSFET在175°C、1200V下的漏电流（IDSS）仅5μA，比同电压IGBT低3个数量级，显著降低静态损耗。

高临界击穿电场强度SiC的击穿场强（约3 MV/cm）是硅的10倍，阻断同等电压所需的器件厚度更薄（如1200V器件厚度仅需硅的1/10），导通电阻（RDS(on)）更低（如13.5 mΩ@60A）。即使过压至1500V，漏电流仍可控，雪崩能量耐受能力（远高于IGBT。

热稳定性与散热优势

热导率高：SiC热导率（3.7 W/cm·K）是硅的2.5倍，热量分布更均匀，降低热斑风险。

高温可靠性：SiC MOSFET的结温上限可达200°C（IGBT通常限制在175°C），且在高温下阈值电压漂移（ΔVth）更小（如从25°C到175°C仅下降0.4V），确保开关稳定性。

三、典型案例与数据支撑

IGBT失效案例某光伏逆变器中，IGBT模块因长期高温运行导致漏电流累积，触发热失控，最终击穿电压阻断层，造成设备停机，维修成本超百万元。数据显示，IGBT在175°C下的漏电流达50mA，而SiC MOSFET仅为5μA。

SiC MOSFET的可靠性验证通过HTRB（高温反向偏置）测试，SiC模块在1200V、175°C下持续1000小时无失效，漏电流稳定在μA级。而部分IGBT模块在相同条件下，漏电流随时间呈指数增长，500小时后即超出安全阈值。

四、结论

IGBT的高温漏电流与电压阻断能力固有缺陷源于硅材料的物理极限，过压或高温导致的失效具有不可逆性。而SiC MOSFET凭借宽禁带、高击穿场强和优异热特性，从根本上解决了这些问题，成为高压高温应用的更优选择。随着国产SiC碳化硅功率半导体成本持续下降，其在光伏逆变器、储能变流器PCS、风电变流器、电能质量APF/SVG、轨道交通等领域的渗透率将加速提升。