高傲的三星也得低头：向长江存储求取核心技术专利

近日，长江存储向三星授权关键技术专利，这一事件不仅标志着中国在存储芯片技术上的实力，也展示了长江存储在3D NAND技术领域方面的领先。

长江存储成立于2016年，虽然是一家相对年轻的公司，但其在3D NAND技术上的发展速度令人瞩目。短短几年间，长江存储通过自主研发和国际合作，成功实现了从32层到64层再到128层的技术跨越。如今，其270层高密度NAND芯片更是引领行业潮流。

长江存储的核心技术之一是其自研的“Xtacking”架构，这是一种创新的三维NAND闪存架构，旨在提高存储密度、I/O接口速度和生产效率。该技术通过在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，然后通过金属互联通道（VIA）将两片晶圆键合在一起，从而实现更高的存储密度和更快的I/O速度。

三星为何与其签署专利许可协议？

三星电子作为全球存储芯片行业的领头羊，为何会选择与长江存储签署专利许可协议？答案在于长江存储在“混合键合”技术上的全球领先地位。随着3D NAND技术堆叠层数的增加，传统架构中外围电路占芯片面积过大，导致存储密度降低。而“混合键合”技术通过直接贴合两片晶圆，摒弃了传统的凸点连接方式，不仅缩短了电气路径，提升了性能和散热能力，还优化了生产效率。

三星计划于2025年下半年实现下一代V10 NAND的量产，预估其堆叠层数会达到420至430层。一旦层数超过400层，底层外围电路所承受的压力便会大幅增加，进而对芯片的可靠性产生影响。为解决这一难题，三星决定在V10 NAND中采用W2W混合键合技术。业内人士指出，当下掌握3D NAND混合键合关键专利的公司有美国Xperi、中国长江存储以及中国台湾台积电，三星几乎难以绕开长江存储的专利布局。

业内分析人士认为，在未来的V10、V11、V12等NAND产品的开发过程中，三星仍将继续依赖长江存储的专利技术，共同推动3D NAND技术的持续创新与升级。

值得一提是，根据韩国科学技术评估与规划研究院 （KISTEP）于2月23日发布的“三个改变游戏规则领域的技术水平深度分析”简报， 39名国内半导体专家进行的调查显示，中国在除先进封装以外的所有半导体技术领域的基本能力都超过了韩国。

长江存储的专利已经在行业内布局多年，通过长期积累，公司已申请专利超过1万件，并在国际专利战中展现了强大的防御能力。2023年11月8日，长江存储以八件专利起诉美光，2024年7月又追加了11件专利的起诉，两案并案处理。这种技术自信和专利布局的深度，为中国科技企业在国际竞争中赢得了重要席位。

长江存储在2018年推出自研的Xtacking技术之后，在CBA架构方向上已经进行了大量的投资。2021年，长江存储还与Xperi达成DBI混合键合技术等相关专利组合许可。这些方面的积极投入都成为了长江存储能够快速在数年时间内在NAND Flash技术上追平国际一线厂商的关键。

长江存储的最新终端产品包括其第五代3D TLC NAND闪存产品，共有294层结构，其中包含232个有源层。通过技术升级，长江存储成功将存储密度提升至与行业领先水平相当的高度，并实现了目前商业产品中最高的垂直栅密度，进一步巩固了其在全球NAND闪存市场的竞争力。

介绍几款典型产品：

致态TiPro9000 PCIe 5.0 NVMe SSD，这款产品采用先进的PCIe 5.0主控和Xtacking 4.0架构颗粒，顺序读写速度分别高达14528.79MB/s和13914.89MB/s，性能卓越。致态TiPlus7100固态硬盘《黑神话：悟空》联名版2TB，不仅设计独特，还具备高达7439.1MB/s的顺序读取速度和6462.9MB/s的顺序写入速度，为游戏玩家提供了快速的游戏体验。

致态灵·先锋版移动固态硬盘2TB，传输速度超过2100MB/s，支持多种设备，是内容创作者的理想选择。PC411商用消费级固态硬盘1TB，广泛应用于各类整机，顺序读写与随机性能表现出色，适合多种使用场景。最后，PE321企业级固态硬盘，顺序读写速度双双超过7100MB/s，随机4K读写性能分别达到1776K IOPS和1450K IOPS，耐久度高达3个DWPD，是企业级应用的可靠选择。