DC/DC变换器中MOS管并联时被击穿?

VBsemi微碧半导体 1周前 (05-07) 阅读数 2 #科技

小编在电子论坛看到这样一个问题,分享给大家

在DC/DC变换器中,MOS 管 Q1 和 Q2 并联,由公共点 A 的驱动信号控制。为什么A 点断开时 MOS 管 Q2 可能会击穿?正常工作时,A 点连接适配的驱动电压(高或低电平,依 MOS管 类型而定),Q1 和 Q2 会同步导通或截止。

一旦 A 点断开,若 Q1 和 Q2 的驱动信号未隔离,二者间会形成浮动节点。鉴于 MOS管 栅极与源极间存在电容,A 点断开后,电容会经其他路径(如 Q1 或 Q2 漏极到源极的电阻)放电。

要是 Q1 和 Q2 的驱动电路未完全隔离,且栅极电容有差异,A 点断开时,电压在两个MOS管间就会分配不均。这就可能使某个MOS管(如 Q2)承受过高电压,超过其额定电压。

当 MOS管承受的电压超过额定值,就会进入雪崩击穿区,电流急剧增大,最终致使MOS管损坏。

为避免此类情况发生,可采取以下措施:一是确保每个 MOS管 的驱动电路相互隔离,防止彼此干扰;二是选用相同型号规格的 MOS管,降低参数差异带来的风险;三是在 MOS管 栅极和源极间添加电阻或电容,减少电压分配不均的可能性;四是实时监控 DC/DC 变换器的电压、电流等关键参数,及时处理潜在问题。

总之,DC/DC 变换器中 MOS管 并联使用时,正确驱动和隔离至关重要,能有效避免击穿等故障。

发表评论:

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法、交流您的观点。

VBsemi微碧半导体

VBsemi微碧半导体

致力服务于中高端市场电子产品的终端制造商