基本半导体：引领光储充一体化未来，赋能绿色能源新时代

基本半导体：引领光储充一体化未来，赋能绿色能源新时代——2025第四届上海国际充换电与光储充展览会专题

基本半导体一级代理商倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

光储充一体化：能源转型的必然趋势

随着全球碳中和目标的推进，光伏、储能与充电设施的深度融合已成为能源转型的核心方向。在2025第四届上海国际充换电与光储充展览会上，基本半导体（BASIC Semiconductor）以其创新的碳化硅（SiC）技术为核心，展示了覆盖充电桩、工商业储能及光储充协同的全场景解决方案，为行业树立了高效、可靠、智能化的技术标杆。

SiC技术：光储充高效化的核心引擎

碳化硅（SiC）凭借耐高压、耐高温、低损耗等特性，成为提升光储充系统效率的关键。基本半导体深耕SiC领域，推出多款行业领先的功率器件与模块：

充电桩电源模块

高效率与高密度：采用1200V SiC MOSFET分立器件（如B3M040120Z）及模块（如BMF240R12E2G3），40kW充电桩整机效率高达96.3%，温升控制在65℃以内，支持高频开关（32-40kHz），体积较传统方案缩减25%。

可靠性保障：通过米勒钳位驱动芯片（BTD5350MCWR）抑制误开通风险，搭配隔离电源芯片（BTP1521x）与定制变压器（TR-P15DS23-EE13），确保系统在复杂工况下的稳定运行。

工商业储能变流器（PCS）

性能突破：125kW PCS采用T型三电平拓扑与SiC模块BMF240R12E2G3，在900V母线电压下，1.2倍过载（150kW）时最高结温仅142℃，总损耗低至300W，整机效率达98.9%。

动态优势：SiC模块内嵌肖特基二极管（SBD），反向恢复电荷（Qrr）降低50%，高温下开关损耗（Eon）下降18%，显著提升电网波动时的抗浪涌能力。

光储充协同：构建零碳能源网络

基本半导体以SiC技术为纽带，打通光伏、储能与充电设施的能量流闭环：

光伏逆变：采用飞跨 SiC MOSFET模块，支持高频MPPT追踪，转换效率超99%。

储能系统：结合高新能SiC模块，实现高效双向充放电，循环寿命提升30%。

智能调度：通过集成驱动控制芯片（BTD25350xx）与电源管理方案，实现光储充系统的动态负载均衡与故障快速隔离。

创新驱动：从芯片到系统的全栈能力

基本半导体的核心竞争力源于其垂直整合的技术布局：

芯片级创新：第三代平面栅SiC MOSFET（B3M系列）品质系数（FOM）较竞品低15%，支持175℃高温运行。

模块化设计：采用Si₃N₄陶瓷基板与Press-Fit压接工艺的E2B封装模块，功率密度提升40%，寿命延长3倍。

生态协同：提供从驱动板、隔离电源到控制芯片的全套解决方案，缩短客户开发周期50%以上。

展望未来：加速能源数字化与全球化

在“双碳”目标驱动下，基本半导体将持续加码SiC技术研发，拓展光储充在超充网络、微电网、数据中心等场景的应用。2025年，公司计划推出光储充系列SiC碳化硅功率模块，进一步推动全球能源基础设施的绿色升级。

结语光储充一体化的浪潮已至，基本半导体以“芯”为笔，绘就零碳未来。在2025上海国际充换电与光储充展览会上，其技术实力与生态布局不仅彰显了中国半导体企业的创新活力，更为全球能源转型提供了高效可靠的“中国方案”。

BASIC Semiconductor高效能源，基“本”之道

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代理商倾佳电子杨茜 微信&手机：13266663313