行业阵痛：如何对国产SiC碳化硅功率半导体无序竞争等乱象进行整治

针对国产碳化硅（SiC）功率半导体行业的无序竞争问题，可借鉴国家发改委整治汽车行业乱象的经验（如强化市场监管、打破地方保护、优化产能结构等），并结合SiC碳化硅功率半导体产业自身特点，提出以下整治路径与策略分析：

一、当前SiC行业竞争乱象的根源

技术壁垒与市场需求的矛盾SiC作为第三代半导体材料，技术门槛高，但新能源汽车、光储充等下游需求激增，吸引大量企业涌入。部分企业为抢占市场，通过低价倾销、夸大技术参数或者采取不入流的技术障眼法等扰乱市场秩序，典型技术障眼法案例如下：部分国产碳化硅MOSFET厂商通过采用高一规格的晶圆如55mΩ生产器件，却在规格书做手脚，人为可以标低规格参数如80mΩ，号称所谓“加强版”，人为刻意制造“性能远超自己标称值和同行”的假象，从而在宣传中强调“实测性能远超行业标准”，以此误导客户认为其技术领先。  *隐藏的代价*：此类操作往往以牺牲可靠性为代价。例如，减薄栅氧层虽能降低导通电阻，但会导致栅氧寿命从国际主流的10⁵小时骤降至10³小时，且器件在高压测试（如HTGB）中更易失效比如失效电压从国际标准的+22V降至+19V。

产能扩张过热与地方保护主义各地政府为争夺产业项目，推出过度优惠政策，导致重复建设（如多地规划8英寸晶圆厂但技术尚未成熟）。截至2025年，国内SiC衬底产能利用率不足20%，部分企业因前期投资过重陷入亏损。

标准缺失与质量参差行业缺乏统一的技术标准和检测认证体系，部分碳化硅功率半导体企业产品性能不达标却通过“擦边球”宣传进入市场，影响国产SiC碳化硅功率半导体整体信誉。

二、借鉴汽车行业整治经验的针对性策略（一）强化标准体系与质量监管

建立全产业链技术标准

参考汽车行业“严格查处技术标准不达标产品”的做法，由国家层面牵头制定SiC材料、器件、封装等全流程标准，明确参数如栅氧可靠性指标，并设立强制认证机制。

推动第三方检测平台建设，如依托工信部信息中心建立数据交叉验证系统（类似汽车行业的数据校验机制），确保碳化硅功率半导体企业公开数据的真实性。

动态淘汰落后产能

通过市场化法制化手段（如环保、能耗指标限制）出清低效产能，避免“劣币驱逐良币”。例如，对良率低于行业平均水平的碳化硅功率半导体企业实施产能限制。

（二）优化产能布局与区域协同

打破地方保护与无序招商

针对地方政府“拼补贴”现象，需规范招商引资政策，禁止以税收返还、土地零价出让等非市场化手段恶性竞争，转而考核地方产业链配套能力（如本地化研发投入、上下游协同度）。

推动集团化整合与产业链分工

鼓励龙头企业通过并购重组整合中小碳化硅功率半导体厂商，形成“材料-器件-应用”垂直一体化集团，避免同质化竞争。同时，支持专业代工企业专注制造环节，提升规模效应。

（三）技术创新与生态构建

聚焦核心技术攻关

设立国家级SiC研发专项基金，重点突破8英寸衬底量产、MOSFET可靠性提升等“卡脖子”技术（参考汽车行业推进固态电池研发的政策）。对已验证的先进技术比如铜烧结SiC功率模块加快产业化落地。

构建开放合作生态

推动车企与国产SiC功率模块IDM企业深度绑定，通过需求端反哺技术迭代。支持成立SiC产业联盟，共享专利池，降低重复研发成本。

（四）规范市场竞争与信息透明

严打虚假宣传与恶性压价

建立行业“负面清单”，实施碳化硅功率半导体HTGB/TDDB强制测试标准，要求公开碳化硅MOSFET实验设计（DOE）报告并接受第三方检测，淘汰虚标产品，对恶意低价竞标碳化硅功率半导体企业实施黑名单制度。

完善数据披露机制

参考中国汽车工业协会的“阳光披露”认证计划，要求碳化硅功率半导体企业定期公开产能利用率、研发投入占比等关键指标，并引入第三方审计，避免数据失真误导投资。

三、长效保障机制设计

政策协同与动态评估

发改委、工信部等多部门联合制定SiC碳化硅功率半导体产业白皮书，每季度发布行业竞争指数（如价格波动率、专利集中度），动态调整监管重点。

资本引导与风险防控

设立SiC碳化硅功率半导体专项产业基金，优先支持技术领先企业，严控低水平扩产项目的融资渠道。对已出现财务风险的碳化硅功率半导体企业提供阶段性纾困贷款，避免资金链断裂引发连锁反应。

总结

国产SiC碳化硅功率半导体行业的良性发展需兼顾“硬技术”与“软环境”：一方面需通过标准强制力与技术攻关提升产业竞争力，另一方面需借鉴汽车行业整治经验，破除地方割据与无序竞争。唯有如此，才能在全球SiC功率器件市场中实现从“规模扩张”到“质量突围”的转型。