这一天还是来了！美国悍然宣布：将英特尔（大连）、三星中国、SK海力士（中国）三家在华核心半导体企业，踢出经验证最终用户（VEU）授权名单。 当天我国商务部就严正回应，直指美方此举是出于一己之私，将出口管制工具化，必将冲击全球芯片产业链稳定。 这事儿得从VEU名单的门道说，VEU是美国商务部给"低风险"企业开的绿灯，被列入名单的公司买美国设备不用每次都单独申请许可证。 以前三星西安工厂、SK海力士无锡工厂用美国应用材料的刻蚀机、泛林集团的薄膜沉积设备，走的都是这个快速通道。 现在美国商务部突然把门焊死了，这三家企业以后买美国设备得一笔一笔提交申请，审批周期可能长达三个月到半年。 首当其冲的是三星西安的NAND闪存工厂。这里是全球最大的存储芯片基地之一，占三星全球NAND产能的40%。SK海力士无锡工厂更关键，承担着全球40%的DRAM内存生产。 这两种芯片是手机、电脑、服务器的"心脏"，现在设备维护和技术升级都得卡在美国人手里。比如SK海力士无锡工厂正在推进的10纳米级DRAM工艺，原本计划今年量产DDR5内存，现在可能得无限期搁置。 最尴尬的是英特尔大连工厂，这家工厂去年刚被SK海力士收购，原本生产的是3D NAND闪存。英特尔前脚刚把工厂卖了，后脚美国商务部就把VEU资格收走了。SK海力士接手后发现，连给设备换个零件都得向美国申请许可。有内部消息说，大连工厂的工程师现在连升级个软件都得等三个月审批，生产线效率直接下降20%。 韩国政府坐不住了，产业通商资源部紧急召见美国驻韩大使，反复强调三星和SK海力士在中国的工厂是全球供应链的"稳定器"。三星西安工厂每年向全球供应价值200亿美元的NAND闪存，SK海力士无锡工厂给苹果、戴尔等企业供应的DRAM内存占其全球采购量的35%。 要是这两家工厂停产，全球存储芯片价格至少得涨30%。韩国半导体协会警告说，美国这招是"搬起石头砸自己的脚"，因为三星和SK海力士在美国得州、印第安纳州的新工厂，还指着中国工厂的利润输血呢。 中国这边早就做好了预案，长江存储的286层NAND闪存生产线已经进入试产阶段，长鑫存储的Xtacking 3.0技术良率突破90%。北方华创的刻蚀机、中微公司的5纳米等离子体刻蚀设备，已经在中芯国际的产线上稳定运行。有业内人士透露，三星西安工厂最近悄悄采购了10台国产刻蚀机，虽然价格比美国设备高15%，但交货周期缩短了一半。 最讽刺的是美国自己的企业，应用材料、泛林集团这两家设备巨头，每年从中国市场赚走超过80亿美元。现在三星和SK海力士为了规避风险，开始转向日本SCREEN的涂胶显影设备和国产的薄膜沉积系统。更让华盛顿没想到的是中国手里还有张王牌——稀土。 这场博弈的结局已经初现端倪，三星宣布将部分NAND产能转移到得州工厂，但新建产线至少需要两年时间。SK海力士则计划在韩国扩建HBM产线，可韩国本土的半导体人才缺口超过5万人。 反观中国，2024年半导体设备市场规模突破2000亿元，国产设备市占率从5%飙升到18%。有专家预测，到2027年，中国成熟制程芯片产能将占全球43%，成为最大的芯片制造基地。 说白了，美国这招看似凶猛，实则不然。当三星、SK海力士还在为设备审批焦头烂额时，长江存储的工程师们已经在测试512层NAND原型芯片了。历史总是惊人的相似，当年美国用同样的招数对付日本半导体产业，结果成就了韩国三星。这次轮到中国，或许会诞生出全球存储芯片的新霸主。
