台积电创始人张忠谋在接受纽约时报专访时说：美国、荷兰、日本、韩国与台湾牢牢控制着半导体关键节点，中国若想反制，几乎没有机会！ 咱先看看半导体到底是咋回事。半导体就是芯片的核心，从设计到生产，要经过好多环节，每个环节都得有顶尖技术，可这些技术都攥在那几个国家和地区手里。 先说设计环节，芯片设计得用 EDA 软件，就像盖房子得有图纸一样。可全球 74% 的 EDA 市场都让美国的三家公司占了，中国的 EDA 软件市场份额只有 11.5%。华为海思设计麒麟芯片的时候，就一直用美国的 EDA 工具，后来美国一制裁，华为连设计新芯片都难了。这就好比盖房子没了图纸，再好的工匠也没法开工。 再说说制造环节，光刻机是关键。荷兰的 ASML 是全球唯一能造 EUV 光刻机的公司，一台机器要 1.5 亿美元，而且被美国盯着，不让卖给中国。中芯国际想买都买不到，只能用旧一点的 DUV 光刻机。上海微电子倒是造出了 28nm 的 DUV 光刻机，可每小时只能处理 200 片晶圆，效率只有 ASML 的 80%，而且关键部件国产化率才 60%。中芯国际的 14nm 芯片良率能到 90%，可 7nm 还在研发，良率不到 50%，跟台积电的 5nm、3nm 比起来差远了。华为的麒麟 9000S 芯片用了 7nm 工艺，虽说能让 Mate 60 系列用上 5G，可这是靠多重曝光技术实现的，成本比台积电高 50%，产能也跟不上。 材料方面，日本占了大便宜。光刻胶、硅片这些材料，日本企业占了全球 70% 的市场。中国的半导体材料自给率只有 23%，像光刻胶，国内只能生产低端的，高端的还得从日本进口。沪硅产业虽说能生产 12 英寸的硅片，可纯度和稳定性还是不如日本的信越化学。长江存储量产 192 层 NAND 闪存，良率能到 95%，可里面的光刻胶还是得买日本的。 存储芯片这块，韩国和台湾地区说了算。三星和 SK 海力士占了全球 DRAM 市场的 70%，台积电在逻辑芯片制造上一家独大。长鑫存储虽说把 DRAM 全球份额提到了 8%，可高端的 HBM 内存还是造不出来，只能眼巴巴看着 SK 海力士和三星赚钱。长江存储的 192 层 NAND 闪存倒是不错，可主控芯片还得从台湾的群联电子买。 美国的制裁更是雪上加霜。华为被列入实体清单后，台积电不能给华为代工，中芯国际又造不出高端芯片，华为手机业务一下子就跌了。后来华为 Mate 60 系列突然上市，用了国产 7nm 芯片，这才缓了口气。可这背后，是中芯国际用了好几年时间，把 14nm 良率从 70% 提到 90%，又费劲巴拉地研发 7nm 工艺。美国还不让 ASML 卖 DUV 光刻机给中国，逼着上海微电子加快研发，可这需要时间啊。 大基金的动向也值得琢磨。大基金一期投了中芯国际、长电科技这些公司，现在开始减持，把钱往设备和材料这些更基础的环节转。二期三期更是直接投到北方华创、中微公司这些做设备的企业。这说明国家在调整策略，从支持制造转向支持上游。可这么一调整，中芯国际这些代工厂的研发资金就紧张了。2025 年一季度，中芯国际研发投入同比少了 15%，7nm 研发进度也变慢了。 不过，中国也不是一点机会没有。华为 Mate 60 系列的成功，说明在成熟制程上，中国能做到自主可控。长江存储和长鑫存储的技术突破，让中国在存储芯片领域有了话语权。大基金三期 3440 亿的资金，正往设备和材料上砸，北方华创的刻蚀机已经能用到 14nm 工艺，中微公司的 5nm 刻蚀机也在验证。只要坚持下去，说不定哪天就能在某个环节实现弯道超车。 可张忠谋说的也不是没道理。半导体产业链太长了，一个环节卡住，整个链条都动不了。就算中国在某个环节有突破，其他环节还得依赖国外。就像华为 Mate 60 系列，虽说芯片是国产的，可里面的射频芯片还得从美国的 Skyworks 买，摄像头模组也得用日本的索尼传感器。要想完全反制，中国得把整个产业链都补上，这可不是一天两天能完成的。 总的来说，张忠谋的观点反映了当前半导体产业链的现实，美国、荷兰、日本、韩国和台湾地区确实控制着关键节点，中国反制难度很大。但中国也在努力，通过政策支持、加大研发投入、推动国产替代，在一些领域取得了进展。 不过，要想彻底打破垄断，还得在 EDA、光刻机、材料等核心环节实现突破，这需要时间，也需要耐心。半导体产业的竞争，是一场马拉松，不是百米冲刺。中国能不能赢，就看能不能在接下来的十年里，把短板补上，把长板拉长。
