一、MOSFET导通条件（最常用）
1.
导通条件：Vgs > Vth（栅源电压大于阈值电压，典型1V-3V）
Vds要求：Vds > 0（漏极电位高于源极，形成电子从源极流向漏极的电场）
物理过程：栅极正电压排斥P型衬底中的空穴，吸引电子形成N型反型层导电沟道
工程准则：实际驱动电压需 Vgs > Vth + 2V（如Vth=2V，则Vgs≥4V才能充分饱和），否则导通电阻剧增，器件工作在线性区过热损坏。
2.
导通条件：Vgs < Vth（Vth为负值，典型-1V至-3V）
Vds要求：Vds < 0（漏极电位低于源极）
物理过程：栅极负电压排斥N型衬底中的电子，吸引空穴形成P型导电沟道
工程准则：驱动电压需 Vgs < Vth - 2V（如Vth=-2V，则Vgs≤-4V）
3.
导通条件：Vgs = 0时天然导通（预置N型沟道），Vgs > Vp（夹断电压，为负值）时开始关断
典型应用：模拟开关、恒流源，需负电压控制
4.
导通条件：Vgs = 0时导通，Vgs < Vp（夹断电压，为正值）时关断
二、JFET导通条件（较少用）
1.
导通条件：Vgs = 0时导通（Idss），Vgs < Vp（夹断电压，为负值）时沟道变窄直至关断
Vds要求：Vds > 0
2.
导通条件：Vgs = 0时导通，Vgs > Vp（夹断电压，为正值）时关断
Vds要求：Vds < 0
三、导通条件的完整判据矩阵
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器件类型沟道类型导通条件关断条件载流子占市场比例增强型MOSN沟道Vgs > Vth (正)Vgs < Vth电子95%增强型MOSP沟道Vgs < Vth (负)Vgs > Vth空穴3%耗尽型MOSN沟道Vgs > Vp (负)Vgs < Vp电子1%耗尽型MOSP沟道Vgs < Vp (正)Vgs > Vp空穴<1%JFETN沟道Vgs > Vp (负)Vgs < Vp电子<1%
四、工程实践中的关键要点
1.
即使Vgs满足导通条件，若Vds=0，则无电流流过。导通后，Vds决定电流大小：
线性区：Vds较小，Id随Vds线性增长，MOS等效为可变电阻
饱和区：Vds > Vgs-Vth，Id基本恒定，MOS作为恒流源
2.
若Vgs仅略高于Vth（如Vth=2V，Vgs=2.5V）：
RDS(on)剧增：从标称10mΩ恶化至100mΩ以上
发热严重：10A电流下功耗从1W增至10W，瞬间过热烧毁
开关速度下降：Qg充电不足，开关时间延长，交叉损耗剧增
3.
在高端驱动中，关断时施加 -2V至-5V 负偏压可：
加速关断：快速抽走栅极电荷
防止误导通：抑制dv/dt通过Cgd耦合抬升栅压
提升可靠性：确保Vgs远离阈值，避免噪声误触发
五、快速记忆口诀
增强型MOS：
N沟道：正压开，负压关（Vgs > Vth导通）
P沟道：负压开，正压关（Vgs < Vth导通）
耗尽型MOS/JFET：
零压就开，反向电压关（Vgs=0时导通，朝相反方向加压夹断）
一句话总结：对于最常见的增强型N沟道MOS，记住 "栅极比源极高2-4V，漏极比源极高0-几十伏" 即可实现可靠导通。实际设计中必须保证Vgs > Vth + 2V，同时确保散热和电压应力裕量，否则导通条件满足也可能因过热或过压而失效。