英飞凌通过 CoolGaN Drive HB 600V G5 产品系列，扩展了其 CoolGaN 产品组合。

这四款新器件——IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M 和 IGI60L5050B1M——在一个半桥配置中集成了两个 600V 氮化镓（GaN）开关，以及集成的高边和低边栅极驱动器与一个自举二极管（bootstrap diode），提供了一个紧凑且经过热优化的功率级，进一步降低了设计的复杂性。

根据该公司的说法，通过将关键功能整合到一个优化的封装中，该系列产品降低了外部元件数量，缓解了通常与快速开关氮化镓相关的 PCB 布局挑战，并帮助设计人员缩短开发周期，同时实现氮化镓技术的核心优势：更高的开关频率、更低的开关和导通损耗，以及更大的功率密度。

英飞凌氮化镓业务线负责人约翰内斯·舍伊斯沃爾（Johannes Schoiswohl）表示：“氮化镓正在改变电力转换，而英飞凌的使命是通过可扩展且易于使用的解决方案，为客户最大限度地实现这一变革。通过这些新的集成解决方案，我们将高速氮化镓性能与集成度和鲁棒性水平相结合，帮助设计人员加快进度、缩小系统体积并提高效率——推动紧凑型电力电子设备可能性的边界。”

该产品系列针对低功率电机驱动系统和开关模式电源，其集成的半桥设计能够使用更小的磁性元件和无源元件，在各种工作条件下实现更高的效率，并在空间受限的设计中提升动态性能。

为了实现高速精密，该器件实现了超快速开关，具有 98 纳秒的传播延迟（propagation delay）和极小的失配（mismatch），支持高效的高频操作，同时保持可预测的时序行为。为了简化系统集成，它提供了与标准逻辑电平兼容的 PWM 输入，并由单个 12V 栅极驱动器电源供电，而快速的 UVLO（欠压锁定）恢复有助于确保在启动和瞬态电源事件期间的鲁棒行为。

为了实现卓越的热性能，这些产品采用带有暴露焊盘的 6 x 8 mm² TFLGA-27 封装，实现了高效的散热，并支持在许多应用中无需散热片的设计。

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