关于“以钼代钨”的放量时间表，综合各大存储厂商的量产规划及行业机构测算，这一进程将呈现“阶梯式爆发”的特征。具体预测时间节点如下：

1. 2024年-2025年：先行试水与早期导入期* 量产启动：三星作为先行者，自2024年起已在286层产品中率先实现钼字线量产。* 初期放量：2025年，全球头部存储厂（如三星）的高纯钼采购量预计在4吨至10吨级别，同时美光也在2025年启动了大规模量产准备。这一阶段属于产业化初期的技术验证与小批量导入。

2. 2026年-2027年：全面爆发与产能爬坡期（核心放量节点）* 巨头集中量产：SK海力士计划于2026年底正式量产375层NAND；美光规划于2027年实现量产。随着三大存储巨头全面切换，300层以上高端AI存储将全面采用钼材料。* 设备与材料放量：行业预测，仅2027年一年，全球NAND钼沉积设备的销售额就将突破10亿美元；钼在NAND总产能中的占比也将从2025年的中个位数百分比，显著增长至2027年的约30%。

3. 2028年-2030年：指数级增长与全域渗透期* 需求量级跨越：随着400层、600层等更高堆叠层数产品的迭代，全球半导体用钼需求将从当前的百吨级跨入数百吨级。据测算，到2030年，全球3D NAND赛道高纯钼总需求量有望突破150吨。* 替代范围下沉：2028年之后，替代范围将从高端3D NAND逐步向中低层NAND、部分逻辑芯片及功率半导体领域渗透，钼靶材有望占据半导体难熔金属靶材的主导地位。以钼代钨大有可为，钼金属大周期即将到来