【三星预估“内存繁荣”仅持续一至两年，全球存储芯片市场届时或迎转折】 三星电子半导体业务今年预计创历史最好业绩，但内部担心存储芯片因供应紧张带来的繁荣仅持续1-2年，之后或下行。AI带动存储需求但不确定性上升，行业曾因误判扩产亏损。管理层讨论2028年前后市场转折，一方面抓AI高利润机会，提升运营效率避免过度投资；同时扩大HBM和先进DRAM投资，研究应对需求放缓方案。短期扩DRAM和HBM是行业共识，英伟达等对HBM需求强劲至少持续到明年，三星和SK海力士超一半DRAM销售来自HBM，传统DRAM供应紧张。NAND风险更大，扩产持续或更早过剩，竞争者多价格竞争加剧易亏损。去年未预料AI繁荣，半导体预测变难，三星经营支持团队制定更严格市场验证和预测的投资计划。详情：网页链接