3月4日消息，国家知识产权局信息显示，无锡昌德微电子股份有限公司申请一项名为“一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法”的专利，授权公告号CN120473395B，授权公告日为2026年3月3日。申请公布号为CN120473395A，申请号为CN202510648411.X，申请公布日期为2026年3月3日，申请日期为2025年5月19日，发明人黄昌民、赵秋森、黄富强，专利代理机构北京睿博行远知识产权代理有限公司，专利代理师张燕平，分类号H10W74/01、H10W40/22。
专利摘要显示，本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法。其技术方案以下步骤：步骤1，提供一种热膨胀系数接近硅材料的高热导率铜钼合金基板；步骤2，将IGBT芯片通过压焊工艺中的银烧结技术键合至所述基板的上表面；步骤3，采用多点均压布线结构实现多个芯片的电流并联分布，其中每一芯片路径都进行热阻与电阻耦合设计；步骤4，封装过程中引入基于位置相关变系数的热阻调节方法；步骤5，通过等离子体处理对芯片表面进行钝化处理，并使用低应力模塑封装材料完成结构固化。本发明通过铜钼梯度基板与均流封装结构的协同设计，实现了热应力缓释、电流均衡及界面可靠性的提升，增强超大电流IGBT芯片的封装性能与使用寿命。
天眼查数据显示，无锡昌德微电子股份有限公司成立日期1995年12月4日，法定代表人黄昌民，所属行业为批发业，企业规模为中型，注册资本2000万人民币，实缴资本2000万人民币，注册地址为无锡市新吴区菱湖大道200号中国物联网国际创新园E1栋901。无锡昌德微电子股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息63条，拥有行政许可7个。
无锡昌德微电子股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法发明专利授权CN202510648411.X2025-05-19CN120473395B2026-03-03黄昌民、赵秋森、黄富强2一种平面可控硅芯片的多层封装工艺发明专利公布CN202510469913.62025-04-15CN120300004A2025-07-11黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金3一种平面整流二极管用电阻检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510424486.X2025-04-03CN120370123A2025-07-25黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金4一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统发明专利授权CN202510425079.02025-04-03CN120356837B2025-12-09黄昌民、赵秋森、黄富强5一种IGBT模块的多级散热基板结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510355017.72025-03-25CN120149278A2025-06-13黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金6一种平面整流管芯的真空吸附式表面清洁装置实用新型授权CN202520507689.02025-03-20CN223960138U2026-03-03黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金7一种平面可控硅芯片的焊接设备实用新型授权CN202520412756.02025-03-10CN223811722U2026-01-20黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金8一种可控硅芯片环氧封装压力固化模具实用新型授权CN202520411623.12025-03-10CN223918522U2026-02-17黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金9一种IGBT模块真空焊接定位夹具实用新型授权CN202520400179.32025-03-07CN223789694U2026-01-13黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金10一种智能功率IPM模块控制方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202411319629.22024-09-20CN119108983A2024-12-10黄昌民、张志奇、黄富强、谷岳生11一种平面结构型超高压二极管芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202410666050.72024-05-27CN118588692A2024-09-03黄昌民、张志奇、黄富强、谷岳生12一种便于封装的三极管实用新型授权CN202421121348.12024-05-21CN222281975U2024-12-31黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强13一种IGBT模块的自动插针机实用新型授权CN202421123893.42024-05-21CN222338761U2025-01-10黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强14一种三极管生产焊接设备实用新型授权、公布CN202421053853.72024-05-14CN222243010U2024-12-27黄昌民、张志奇、黄富强、陈小金15一种IGBT集成模块用定位检测台实用新型授权CN202421047343.92024-05-14CN222507548U2025-02-18黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金16一种肖特基二极管实用新型授权、公布CN202420957702.82024-05-06CN222190714U2024-12-17黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强17一种肖特基芯片检测系统发明专利实质审查的生效、公布CN202410542882.82024-05-01CN118362854A2024-07-19黄昌民、张志奇、黄富强、谷岳生18一种大功率贴片二极管实用新型授权、公布CN202420947308.62024-05-01CN222190713U2024-12-17黄昌民、张志奇、黄富强、陈小金19一种横向功率MOSFET器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311589297.52023-11-27CN117293173B2024-02-13黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强20一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311394756.42023-10-26CN117153894B2024-02-13黄昌民、张志奇、黄富强、陈小金21芯片封装结构实用新型授权CN202322355524.X2023-08-30CN220856563U2024-04-26黄昌民22一种BJT音响管安全工作区检测装置实用新型授权CN202320769685.02023-04-07CN219464107U2023-08-04黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金23一种音响管的成型结构实用新型授权CN202320750512.42023-04-07CN219659860U2023-09-08黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金24一种IGBT终端结构实用新型授权CN202320568825.82023-03-21CN219321344U2023-07-07黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金25一种音响管的安装固定机构实用新型授权CN202320564077.62023-03-21CN219697897U2023-09-15黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金26一种高压可控硅芯蚀刻机发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202310259055.32023-03-15CN116230592A2023-06-06黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金27一种晶体管晶圆检测装置实用新型授权CN202320502458.12023-03-15CN219573953U2023-08-22黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金28一种半导体器件高温性能试验装置实用新型授权CN202320506915.42023-03-15CN219609129U2023-08-29黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金29一种高可靠性均流设计的音频晶体管发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202211326975.42022-10-26CN115692469B2024-01-09黄昌民、张志奇、何飞、黄国荣30一种MOS芯片生产用测试装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210559799.22022-05-23CN114937617B2023-09-08黄昌民、张志奇、何飞、黄国荣31一种MOS芯片蚀刻废物回收再利用装置发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210542378.92022-05-17CN114951217A2022-08-30黄昌民、张志奇、张站东、何飞32一种抗冲击性强的硅芯片结构发明专利授权、公布CN202210542380.62022-05-17CN114883276B2025-08-12黄昌民、张志奇、何飞、黄国荣33新型功率集成二极管实用新型授权CN202221172673.12022-05-16CN217468408U2022-09-20黄昌民、李学会34一种晶圆用高效剥膜装置及剥膜工艺发明专利授权、公布CN202210513213.92022-05-11CN114843214B2025-07-15黄昌民、张志奇、张站东、何飞、黄国荣35一种硅芯片双面光刻精细对准装置发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210532943.32022-05-11CN114879453A2022-08-09黄昌民、张志奇、张站东、何飞36一种应用于晶圆的智能化匀胶装置及匀胶工艺发明专利授权、公布CN202210514931.82022-05-11CN114779581B2025-01-28黄昌民、张志奇、张站东、何飞、黄国荣37一种晶圆用高效剥膜装置及剥膜工艺发明专利授权、公布CN202210513213.92022-05-11CN114843214B2025-07-15黄昌民、张志奇、张站东、何飞、黄国荣38一种高耐压肖特基芯片发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210052888.82022-01-18CN114361113B2022-11-15黄昌民、李学会39功率集成二极管及其制造方法发明专利著录事项变更、授权、实质审查的生效、公布CN202110542357.22021-05-18CN113140559B2023-08-15李学会、黄昌民40一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构实用新型授权CN202023221461.12020-12-28CN213601860U2021-07-02黄昌民41一种IGBT芯片结构实用新型授权CN202023251748.92020-12-28CN213601856U2021-07-02黄昌民42一种可独立控制开关的IGBT芯片结构实用新型授权CN202023221419.X2020-12-28CN213601863U2021-07-02黄昌民43一种IGBT芯片安装结构实用新型授权CN202023251758.22020-12-28CN213601861U2021-07-02黄昌民44一种新型大功率音响用芯片散热结构实用新型授权CN202023251764.82020-12-28CN213906852U2021-08-06黄昌民45一种VDMOS及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN201910674562.72019-07-25CN110299402A2019-10-01李学会、黄昌民46一种VDMOS及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN201910674470.92019-07-25CN110299401A2019-10-01李学会、黄昌民47一种VDMOS实用新型授权CN201921176128.82019-07-25CN209896066U2020-01-03李学会、黄昌民48一种VDMOS实用新型授权CN201921176127.32019-07-25CN209896065U2020-01-03李学会、黄昌民49一种TO-3引线键合夹具实用新型授权CN201920347859.82019-03-19CN209615303U2019-11-12黄昌民50一种固晶结合力测试装置实用新型授权CN201920348370.22019-03-19CN209858404U2019-12-27黄昌民