价值投资日志 $通富微电(SZ002156)$ 全球半导体设备销售额预计在2025年创下1330亿美元的新纪录后，将在2026年进一步攀升至1450亿美元，2027年则达到1560亿美元。这个持续膨胀的“蛋糕”背后，是AI驱动的结构性需求爆发。半导体设备行业正站在一个“全球AI创新周期”与“国产替代不可逆趋势”的历史交汇点上。这不仅是周期性的复苏，更是一场可能持续十年的基础设施升级大周期的开端。国际半导体产业协会（SE­MI）的最新报告，为半导体设备行业的繁荣提供了最权威的注脚。这一增长的核心引擎，无疑是人工智能。AI相关的投资正强力推动着尖端逻辑电路、存储器以及先进封装技术领域的设备支出。晶圆制造设备作为最大细分市场，其销售额预计在2025年增长11.0%，达到1157亿美元。这一预测值在年中还被上调，主要是因为支持AI计算的DR­AM和高带宽内存领域的投资力度超出了预期。区域格局也在动态变化中。中国大陆已连续五年稳居全球最大半导体设备市场，2024年市场规模达495.4亿美元，占全球份额的42.34%。预计到2026年，韩国将凭借存储器投资的强劲反弹，以约296.6亿美元的支出重回全球设备支出第二位，而中国大陆仍将以392.5亿美元的预计投入稳居首位。AI算力的狂飙，正在重塑半导体产业的需求逻辑。存储芯片，特别是高带宽内存，已成为这场竞赛的“数据粮仓”和关键瓶颈。存储芯片的技术演进，从2D平面走向3D堆叠，直接颠覆了对设备的需求。NA­ND闪存层数已突破400层，并向1000层迈进；DR­AM则向垂直通道晶体管结构演进。这种“空间争夺战”对半导体设备，尤其是刻蚀和薄膜沉积设备，提出了指数级增长的需求。刻蚀设备是这场变革中的核心受益者。在3D NA­ND制造中，增加集成度的主要方法是增加堆叠层数，这要求刻蚀技术实现更高的深宽比。当3D NA­ND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备在生产线中的使用量占比从34.9% 上升到 48.4%。薄膜沉积设备的需求同步爆发。3D NA­ND层数越多，构建基础叠层结构所需的沉积步骤就越多。其中，能实现原子级精度薄膜控制的原子层沉积设备，在3D结构中的需求占比显著增加。HBM的制造则额外拉动了高端光刻与混合键合设备的需求。HBM通过硅通孔技术垂直堆叠多层DR­AM芯片，其高密度互联对图形化精度提出了极致要求，推动了EUV光刻机的需求。同时，随着堆叠层数增加，被视为未来关键的混合键合设备重要性日益凸显。在需求爆发的全球浪潮中，中国半导体设备产业正迎来一场波澜壮阔的国产替代“进阶之战”。强大的内需市场是国产设备的天然试炼场。中国AI基建热潮持续，但高端GPU芯片缺口巨大，存储芯片长期存在贸易逆差，对外依存度高。实现科技自立自强，“中国芯”的突破与上游设备的自主可控已成为必选项。政策环境提供了清晰的扶持脉络。从顶层的产业规划，到《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》等精准政策，多部门协同支持关键装备的研发与应用。资本也以前所未有的力度注入行业。国家大基金已投资了覆盖刻蚀、薄膜沉积、抛光液等多个细分领域的上游公司。2020至2025年间，中国半导体设备领域共发生359笔融资，市场对行业长期信心不减。经过多年攻坚，国产设备在多个关键环节已实现从“0到1”的突破，并正向“1到N”的批量应用迈进：刻蚀设备：中微公司的CCP设备已覆盖28纳米以上绝大部分应用，并在部分先进节点被全球顶级芯片制造商采用。北方华创的CCP设备在8英寸产线已占据主导地位。薄膜沉积设备：拓荆科技形成了PE­C­VD、ALD、SA­C­VD等系列产品，在中芯国际、华虹集团等客户中得到广泛应用。北方华创、中微公司、微导纳米等企业也在该领域各有建树。尽管进步显著，但国产化率仍处于起步爬升阶段。刻蚀设备的国产化率约在10%-20%，清洗设备在20%-30%。2026年中国半导体设备国产化率将提升至29%，且后续提升斜率会更加陡峭。面对这样一个兼具高景气度与高确定性的赛道，2026年国产半导体设备将开启确定性强的扩产周期，全行业订单增速或将超过30%。市场的共识正在形成。