中国攻克半导体材料世界难题 中国攻克半导体材料世界难题，太牛了！据科技日报，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队立大功。在芯片制造里，不同材料层间“岛状”连接结构阻碍热量传递，是性能提升瓶颈。这个问题从2014年相关成核技术获诺贝尔奖后就没解决。 团队首创“离子注入诱导成核”技术，把“岛状”界面变成原子级平整“薄膜”，新结构界面热阻仅为传统的三分之一。基于此技术的氮化镓微波功率器件，输出功率密度将国际纪录提升30% - 40%。相关成果发表在顶级期刊，给半导体材料集成提供了“中国范式”，这突破太关键了！
