美国制裁下的意外结果:中国存储芯片实现关键反超 中韩通用DRAM技术差距已缩短

美国制裁下的意外结果:中国存储芯片实现关键反超 中韩通用DRAM技术差距已缩短至不到一年。 这一变化主因是美国限制EUV设备出口,虽减缓了中国大陆在先进制程的追赶,却反而加速了其在其他领域的技术进步。 长鑫存储最新DDR5产品性能亮眼,最高速率达8000Mbps,已媲美韩国同级产品,能满足高端服务器平台需求。 尽管其目前月产能27万片仍远低于三星(64万片)和SK海力士(51万片),但预计2026年量产的DDR5与LPDDR5X将可能削弱行业“超级循环周期”,并冲击韩企在中国大陆的市场份额。 数据显示,中国大陆市场占三星与海力士总营收近四分之一,因此长鑫存储的崛起对其构成不容小觑的挑战。 业界分析,长鑫的快速进步得益于官方扶持、庞大的本土需求,以及在美国限制背景下,积极从韩国、日本等地吸纳半导体人才,加速了技术研发。

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