中国“太空材料之母”，优秀的中国科学院院士，她完成了世界上第一次利用太空材料制作成半导体器材的实验，让中国的科学技术至少提前进步了10年，中国著名的半导体和太空材料科学家，她就是林兰英先生。[微风] 1918年，她出生在福建省的一个知识分子家庭，那个年代，女性受教育的机会十分有限，但幸运的是，林兰英的父母重视教育，让她有机会接受良好的学校教育，年轻的林兰英展现出了惊人的学习天赋，特别是在数学和物理方面。 1936年，18岁的林兰英考入了福建协和大学物理系，在那里，她打下了扎实的物理学基础，为日后的科研之路奠定了良好的基础。 大学毕业后，林兰英留校任教，但她并不满足于此，内心渴望继续深造，追求更高深的学问。 机会终于来临，1947年，林兰英获得了赴美留学的机会，她来到美国宾夕法尼亚州的迪金森学院，开始了她的海外求学生涯。 在美国，林兰英如饥似渴地汲取新知识，努力钻研，1949年，她获得了数学学士学位，然而，林兰英并未止步于此，她意识到物理学对新中国的重要性，毅然决定转向物理学深造。 1951年，林兰英获得了固体物理学硕士学位，五年后又取得了博士学位，在美国求学期间，林兰英接触到了当时最前沿的半导体技术，这为她日后在中国开展相关研究打下了坚实的基础。 然而，学成归国的道路并非一帆风顺，当时的美国政府对中国留学生的回国设置了重重障碍，面对种种阻挠，林兰英展现出了坚定的爱国决心。她以母亲病重为由，终于在1952年回到了阔别多年的祖国。 回国后的林兰英立即投身于新中国的科技建设事业，1957年，她加入了中国科学院，开始了她在半导体材料领域的开创性工作。 在极其有限的条件下，林兰英带领团队攻坚克难，终于在1958年成功制造出了中国第一根锗单晶，这一成就比国外专家预测的时间提前了好几年。 紧接着，林兰英将研究重点转向了砷化镓单晶。她敏锐地意识到砷化镓在半导体材料中的巨大潜力。 经过三年的刻苦钻研，林兰英团队成功用砷化镓研制出了半导体激光器，这一成就奠定了她“中国半导体材料之母”的地位。 林兰英的贡献并不止于此。在20世纪60年代初，她带领团队研发出了中国第一台开门式硅单晶炉，并成功制造出了世界领先水平的无错位硅单晶。 这些成就为中国的微电子工业奠定了坚实的基础，也为中国的“两弹一星”工程做出了重要贡献。 然而，科研之路从来都不是一帆风顺的。文化大革命期间，林兰英的科研工作被迫中断。 但她并未因此气馁，而是利用这段时间潜心思考，为日后的研究积蓄力量。 1980年，林兰英当选为中国科学院学部委员。此时，美国方面得知她在文革期间的遭遇，曾派人来游说她重返美国，并许诺优厚条件。 然而，林兰英以“祖国更需要我”为由婉拒了这个诱人的工作，再次展现了她的爱国情怀。 进入80年代，林兰英的研究重心转向了太空材料领域。她敏锐地意识到太空材料将是未来科技发展的重要方向。 在她的带领下，团队开展了空间材料的研究工作。经过不懈努力，林兰英完成了世界上第一次利用太空材料制作半导体器材的实验，这一成就使中国的相关技术至少提前了10年，也为她赢得了“太空材料之母”的美誉。 1981年，林兰英与团队合作完成的“四千位、十六千位大规模集成电路、硅栅金属氧化物半导体随机存储器”项目获得了中国科学院重大科技成果一等奖，这进一步肯定了她在半导体领域的突出贡献。 林兰英的一生都在为中国的科技事业奋斗。她生活简朴，终身未婚，将全部精力都投入到了科研工作中。 她不仅自己做出了卓越贡献，还培养了大批优秀的半导体材料研究人才，为中国在这一领域的长远发展奠定了人才基础。 2003年3月4日，85岁高龄的林兰英离开了她深爱的科研岗位，永远地离开了我们，虽然她的生命结束了，但她的精神和贡献将永远激励后人。 林兰英的一生，是科学精神和爱国情怀的完美结合，她以一个女性科学家的身份，在当时男性主导的科研领域中脱颖而出，打破了性别歧视，证明了女性在科学领域同样可以有出色的表现。
