MOS管，全称‌金属-氧化物-半导体场效应晶体管‌（MOSFET），是一种通过栅极电压控制源极与漏极之间电流的半导体器件。它属于电压控制型器件，输入阻抗极高（可达10¹²Ω以上），具有低噪声、低功耗、易集成等优势，是现代电子电路的核心功率器件。

MOS管通过工作原理进行划分，可以分为增强型MOS管和耗尽型MOS管。以微硕半导体（WINSOK）旗下的MOS管为例，都是增强型MOS管，主要是因为增强型MOS管默认不导通，控制简单，功耗低；而耗尽型MOS管默认导通，在实际应用中，当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效，不易被控制，导致其只能用于特殊模拟场景，如恒流源、线性调节器、启动电路等。

增强型MOS管和耗尽型MOS管之间的核心区别在于零栅压（VGS=0）时的初始状态不同：

增强型MOS管：常关（默认不导通，需要加电压才能开启）

耗尽型MOS管：常开（默认导通，需要加电压才能关闭）

详细对比：

形象比喻：

增强型像一扇锁着的门，你需要钥匙（正电压）才能打开；

耗尽型像一扇开着的门，你需要指令（负电压）才能关上。

增强型MOS管和耗尽型MOS管，其实就一句话：一个“没电就关”，一个“没电也开”‌。

‌增强型MOS管是没电时彻底关断，像没插电的开关；要加电才能打开，适合手机、电脑这些数字设备，便宜省电好驱动。

‌耗尽型MOS管是没电时默认通电，像一直开着的灯；加电开更大，断电才能关，适合收音机、音响这些模拟设备，但一直通电会耗电。

进行MOS管选型时，要遵循“默认增强，特需耗尽”原则。99%的应用场景增强型是最佳选择，只有需要“默认通电”的场合（比如过流保护），耗尽型才能展现出不可替代的价值。设计者需深刻理解二者的区别，避免将增强型驱动电路简单套用于耗尽型，或忽视耗尽型的静态功耗陷阱。