多家行业机构同步发布存储芯片市场预测报告，受AI数据中心建设持续推进影响，全球DRAM存储芯片供需缺口进一步扩大，预计2026年第二季度DRAM价格将环比再涨30%，延续此前的涨价态势，全球半导体存储产业持续升温。

AI生成

据行业分析机构测算，当前全球DRAM市场供需失衡态势明显，需求端主要受AI数据中心建设拉动，随着生成式AI、大模型训练及推理需求的爆发，数据中心对高带宽内存（HBM）、服务器级DRAM的需求呈指数级增长，成为推动DRAM价格上涨的核心动力。供给端方面，三星、SK海力士等主要厂商虽在逐步扩大产能，但产能释放存在滞后性，短期内难以满足激增的市场需求。

此前，三星电子已明确在2026年第二季度对旗下全系列DRAM产品执行平均30%的环比涨价，涵盖HBM、服务器级、消费级等全品类，而第一季度DRAM产品同比涨幅已达100%，连续两轮大幅涨价力度远超市场预期。机构指出，此次涨价并非单一企业行为，而是行业整体供需格局的体现，SK海力士、美光等厂商也有望跟进涨价，进一步推动DRAM价格上行。

业内人士表示，AI产业的持续爆发将长期支撑DRAM需求，预计2026年全年DRAM市场规模将同比增长超50%，供需缺口可能持续至2027年。对于下游企业而言，存储芯片价格的持续上涨将增加生产成本，尤其是AI数据中心、服务器厂商的成本压力将进一步加大，部分中小企业可能面临盈利承压的困境。