当地时间12月8日，路透社报道称，中国NAND闪存制造商长江存储（YMTC）已向华盛顿特区联邦法院对美国国防部提起诉讼。

该诉讼要求法院暂停并撤销将长江存储列入“与中国军方有关联的实体”名单的认定。美国国防部于2024年1月将长江存储纳入该名单，今年早些时候重申了这一认定，长江存储因此被禁止进口含有美国技术的先进半导体设备。

美国哥伦比亚特区联邦地区法院（U.S. District Court for the District of Columbia）PACER ，案件名称：Yangtze Memory Technologies Company, LTD. v. U.S. Department of Defense et al，案件编号：1:25-cv-04244

长江存储在诉讼中称，美国国防部的相关认定依据“过时且不准确的信息”，声称自身与中国军方及国防领域无任何关联，产品均为商用级，从未用于军事用途，制裁已导致其遭受“重大经济和声誉损失”，并失去与美国合作伙伴的业务往来。同日，长江存储还起诉了美国商务部，质疑2022年被列入限制获取美国技术清单的决定。

美国哥伦比亚特区联邦地区法院（U.S. District Court for the District of Columbia）PACER ，案件名称：Yangtze Memory Technologies Company, LTD. et al v. U.S. Department of Commerce et al，案件编号：1:25-cv-04245

长江存储成立于 2016 年 7 月 26 日，专注于 3D NAND 闪存及存储器解决方案研发与量产。

据 TrendForce 数据，2025 年第一季度，长江存储在全球 NAND 闪存市场（营收口径）占 8.1% 的份额，排名第六。Counterpoint 数据显示，2025 年第三季度其全球 NAND 出货量份额升至 13%。

长江存储于 2025 年 9 月 5 日注册成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，注册资本 207.2 亿元，计划到 2026 年底全球 NAND 销量份额提升至 15%。

Omdia 预测，长江存储 2025 年的资本支出在全球 NAND 闪存市场投资中占比约 20%。

长江存储自主研发了“X-Tacking”（晶栈）技术，该技术通过在两片独立晶圆上分别加工外围电路和存储单元，再通过金属互联通道键合实现突破，已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，2025年推出采用晶栈Xtacking 4.0架构的新品，读取速度达7000MB/s。三星电子、SK海力士等企业曾利用其专利堆叠技术开发400层NAND闪存。长江存储计划基于该技术开发高带宽内存（HBM）。

美国曾禁止向中国出口用于制造 128 层及以上 NAND 闪存的美国受控设备（需申请许可证，非绝对全面禁止，曾对外资在华工厂有临时豁免），截至 2025 年中，长江存储整体产能设备国产化率达 45%（核心高端设备仍依赖进口）。

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此前，已有多家中国科技企业因被列入美国国防部相关清单，选择通过法律途径维护自身权益，向美国华盛顿联邦地区法院提起诉讼，要求撤销被列名的决定，中微半导体、禾赛科技（Hesai）与大疆创新（DJI）均在此列，但各企业的案件进展与结果有所不同。

其中，中微半导体于去年起诉美国防部后成功被移出清单，但这一结果并非源于法院裁定相关制度违法，而是美国国防部依据最新评估与事实判断作出的行政撤销决定。

禾赛科技与大疆创新的诉讼则在今年相继迎来一审结果。7月，法院驳回了禾赛科技的诉求，理由是其生产的激光雷达被认定具有潜在军事用途，美国国防部将其列入CMC清单具备充分依据。9月，大疆创新在同一法院也遭遇一审败诉，法官明确裁定美国防部拥有充分裁量权，且其关于大疆对中国国防工业体系“有贡献”的认定结论合法有效。截至目前，禾赛科技与大疆创新均已针对一审结果提起上诉。