今年的Hot Chips大会上，三星和海力士在HBM发展路线上策略已经完全向左。

三星的三步走路径是：- 标准HBM- 定制HBM- zHBM（直接与XPU做Hybrid Bonding）

而SK Hynix的策略是发力先进封装，在HBM堆叠和硅中阶层的材料和热设计上做更深的探索。

这两个路线没有孰对孰错，单从技术上来看三星的路径是解决“内存墙”的更加可行方案。

其实三星Phase3的策略已经在中国开始率先推进，而直接推动者就是之前提到的青耘科技。