国产存储追赶提速！这就是半导体今日爆发的底层逻辑韩国半导体产业协会最新评估，国内存储芯片追赶速度超出预期，曾经长达5年的技术代差，如今NAND闪存差距压缩至仅1年，DRAM差距缩小至2年。这个评估结果，也直接点燃今天半导体板块行情。叠加十五五电子信息制造业规划落地，政策全力支持集成电路全链条攻关，高密度存储器被列为重点突破方向，国产存储的迭代节奏还会持续加速。利基型存储市场，国产厂商已经站稳脚跟，未来两年有望在DRAM、NAND领域逐步追平韩国头部企业。目前短板依旧集中在HBM赛道，当下依旧由韩国双雄主导，技术差距大约还有3年。但随着国产厂商在普通存储持续打磨工艺、积累良率，HBM的突破窗口也在慢慢打开。存储芯片的国产替代，会向上传导至整条产业链。半导体设备、特种材料、零部件赛道，会迎来持续的订单释放与业绩爆发机会。⚠️资讯仅行业逻辑解读，不构成投资建议，芯片板块波动极大，注意仓位把控。半导体国产存储