在地缘约束之下，先进EUV光刻机引进受阻，国内半导体产业正在开辟一条新赛道：不靠横向缩小线宽，转而向三维垂直堆叠寻求突破。最近流传的“绕开光刻机造出3D DRAM”的消息，有不少夸张演绎，但背后对应的前沿探索，确实值得关注。网传突破归属北方华创并不准确，相关研究论文出自中科院微电子研究所，2023年就已刊发，并不是刚发布的新技术。文章研究的是SiGe‑Si多层膜的选择性刻蚀，属于实验室阶段的基础研究，验证了垂直堆叠的可行性，但离量产还有很长距离，更不是已经彻底跳过光刻机——垂直方案依然要用DUV，只是对EUV的依赖度下降。华为的Tau Scaling逻辑折叠架构、存储方向的3D‑DRAM，走的都是“向上堆”的思路，两条路线遥相呼应，构成国产芯片换道突围的重要方向。理性看待，这不是一夜之间的弯道超车，而是漫长、扎实的技术爬坡。没有神话，只有一点点啃硬骨头的坚持，后摩尔时代，中国半导体正在用自己的方式寻找答案。