三星电子海力士将发布大规模投资计划 6月28日，韩国总统府确认，三星电子与SK海力士将于29日发布大规模投资计划。

据韩联社等权威媒体报道，未来十年总投资额有望超过1000万亿韩元（约合6500亿美元），涵盖全罗道、忠清道、庆尚道的芯片产业集群建设。三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源将共同出席。

这笔相当于韩国2025年度GDP三成以上的投资，标志着存储芯片产业正从周期性波动迈入AI驱动的“超级增长周期”。据Counterpoint Research预测，2026年全球存储芯片市场规模将达9600亿美元，较2025年暴涨逾3倍。

先进制程晶圆厂的建设与设备爬坡周期普遍长达2至4年，短期供给难以匹配指数级增长的需求；HBM消耗晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍，扩产本身可能进一步加剧结构性短缺。

在全球算力基础设施持续短缺的背景下，这场“世纪豪赌”既是韩国对AI时代机遇的结构性回应，也是一场充满不确定性的战略押注。