2025年12月12日下午4点整，港交所大屏上的数字停止跳动。英诺赛科收盘价：80.800港元，总市值：739.40亿港元。

三个月前，这家公司还只是半导体圈内人知晓的“技术派”；三个月后的今天，它已成为中国硬科技突围的标志性符号。

这一切的转折点，是2025年8月1日——那天，英伟达公布的7家800V电源架构合作伙伴中，第一次出现了中国公司的名字——英诺赛科。

英伟达公布800V直流电源架构合作伙伴名录，英诺赛科是7家芯片供应商中唯一的中国企业。图源：英伟达官网

而站在这一切背后的，是一位十年前还被朋友劝着“别跳火坑”的女科学家。

时钟拨回2015年初春，美国休斯顿NASA马歇尔太空飞行中心。45岁的骆薇薇收拾着办公室里的个人物品。

书架上摆着她参与编写的火箭燃料燃烧研究报告，墙上挂着与航天飞机团队的合影。十五年的NASA生涯，从普通研究员到首席科学家，这条路上洒满了她的汗水。

“你真的要走？”同事难以置信，“中国半导体？现在回去太早了，那边连基础产业链都不全。”

朋友们的话更直接：“薇薇，你这是专业不对口啊！搞数学的去搞芯片？而且是最难的氮化镓？这是火坑，跳不得！”

骆薇薇是出生于1970年的华人，祖籍据说是浙江诸暨。她身上有着典型的浙商品质——低调务实，但认准的事九头牛拉不回。

她在新西兰梅西大学拿到应用数学博士学位，论文研究的是化学热失控的数学模型。这段经历让她明白：理论必须能解决实际问题，否则就是纸上谈兵。

她看到了两组数据的对比：一方面，中国每年芯片进口额超过3000亿美元，是原油进口的两倍；另一方面，第三代半导体氮化镓全球市场刚刚萌芽，中国企业与国际巨头几乎站在同一起跑线。

“再不进去，就真的没机会了。”她在心里反复掂量。最难的告别是对12岁的儿子。“妈妈要回国做一件很重要的事，可能会错过你中学的毕业典礼。”

电话那头沉默了很久，然后传来稚嫩却坚定的声音：“你去吧，我能照顾好自己。”挂断电话，骆薇薇在办公室哭了半个小时——既有不舍，也有愧疚。

2015年8月，她见到了从珠海专程飞来的招商团队。四个小时的深度交流后，对方当场拍板：“骆博士，你的项目我们全力支持，落户珠海！”

四个月后，英诺赛科在珠海高新区正式注册。启动资金？几乎全靠政府扶持。团队？只有一名从美国跟随回国的工程师。技术积累？国内氮化镓领域几乎一片空白。

当时业内流传着一个说法：“在中国搞氮化镓，要么是骗子，要么是傻子。”因为这东西太前沿，产业化难度堪比登月。

骆薇薇毫不犹豫地选择了当“傻子”。但这个“傻子”心里有本清晰的账：第一代半导体（硅）中国落后了30年，第二代半导体（砷化镓）中国落后了20年，

第三代半导体（氮化镓）的竞争才刚刚开始。“这是中国半导体最后一次与全球同步起跑的机会，错过了，就再也不会有了。”

十年后，这本账上的数字变成了：739亿港元市值，全球42.4%的氮化镓功率芯片市场份额，以及英伟达供应链上的唯一中国席位。

当年劝她“别跳火坑”的朋友，如今在华尔街的分析报告中反复引用她的公司作为案例。“我错了，”那位朋友最近在一次行业会议上公开说，“骆薇薇不是跳进了火坑，她是点燃了中国第三代半导体的火把。”

英诺赛科珠海工厂的第一间实验室，是由旧仓库改造的。2016年初，骆薇薇面临创业后的第一个重大抉择：技术路线怎么选？

当时行业主流是4英寸和6英寸氮化镓工艺，技术相对成熟，风险小。而8英寸工艺？全球没有一家公司实现量产，连英飞凌、德州仪器这样的巨头都还在实验室阶段。

团队内部激烈争论。“骆博士，咱们刚起步，先做6英寸比较稳妥。”“是啊，8英寸的难度是指数级增长，咱们的设备和人才都跟不上。”

骆薇薇在黑板上画了两张图。第一张是成本曲线：8英寸晶圆比6英寸多出80%的芯片产出，单片成本降低30%。

第二张是时间窗口：“如果我们现在做6英寸，等我们量产时，国际巨头已经冲到了8英寸，我们永远只能跟在后面吃灰。”她最终拍板：“直接攻关8英寸，不做跟随者，要做领跑者！”

这个决定意味着要闯“无人区”。当时，8英寸氮化镓生产的关键设备——MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积设备），欧美对中国禁运。没有设备，一切都是空谈。

骆薇薇想出了“土办法”：她带着团队满世界跑二手设备市场。德国一家破产半导体工厂的旧设备，日本某实验室淘汰的老机器，都被他们像捡宝贝一样买回来。

“买不到新的，我们就改造旧的。”她挽起袖子，和工程师们一起拆解设备、研究图纸、调整参数。那段日子，她白天是CEO，晚上是机械工程师。

最艰难的是外延生长工艺的突破。氮化镓要在硅基底上生长，但两种材料的热膨胀系数差了将近三倍，就像让钢铁和橡胶紧密贴合——温度控制稍有偏差，晶圆就会开裂、翘曲。

骆薇薇把NASA研究火箭燃料的方法论用上了。“在NASA，我们研究极端条件下的燃烧控制，精度要求是千分之一秒、千分之一度。做芯片，道理相通。”

她带领团队设计了37套温度控制方案，做了上千次实验。测试记录本上密密麻麻写满了数据：“第128次实验，升温速率每秒2.3℃，衬底温度差控制在±0.5℃内......”

● 英诺赛科生产的8英寸硅基氮化镓晶圆

2017年春天，突破来了。当第一片8英寸氮化镓外延片完整无裂地从设备中取出时，整个实验室沸腾了。

厚度均匀性达到98%，缺陷密度低于行业标准——他们做到了国际巨头没做到的事。但产能又成了新瓶颈。珠海工厂每月只能生产几百片晶圆，远远不能满足市场需求。

2017年底，骆薇薇作出第二次重大抉择：北上苏州。苏州的招商团队给出了无法拒绝的条件：土地、政策、资金支持，更重要的是——这里是全中国集成电路产业链最完整的地方。

从芯片设计到封装测试，方圆50公里内都能找到合作伙伴。“在珠海我们是单打独斗，在苏州我们是军团作战。”骆薇薇看得很清楚。

2018年6月，英诺赛科苏州工厂破土动工；2021年6月，全球首条8英寸硅基氮化镓量产线正式投产。

● 骆薇薇（中）在英诺赛科苏州工厂投产仪式上

从实验室到量产线，业界预估需要十年，英诺赛科用了不到六年。这条产线如今每月生产1.3万片8英寸氮化镓晶圆，占全球产能的35%。

站在自动化生产线前，骆薇薇常想起珠海那个旧仓库实验室。“我们不是一个人在战斗，是中国整个半导体产业链在支撑我们前进。”

2025年8月1日，硅谷英伟达总部。一份即将发布的合作伙伴名单在内部会议上被反复审核。

当中国“英诺赛科”的名字出现时，有高管提出质疑：“确定要纳入一家中国公司吗？我们的传统供应商都是欧美日巨头。”

电源架构负责人约翰逊调出了一组数据：“过去18个月，我们测试了全球12家氮化镓供应商的产品。在效率、稳定性、良率三个核心指标上，英诺赛科的综合评分第一。”

他顿了顿，补充道：“而且他们的产能最稳定，供货周期最短。”会议室陷入短暂沉默。最终，CEO黄仁勋拍了板：“如果他们的技术确实最好，为什么不用？”

当天下午3点，名单公布。半导体圈瞬间炸锅——7家公司中，6家是德州仪器、英飞凌、意法半导体、罗姆这样的老牌巨头，只有1家是中国面孔：英诺赛科。

这被誉为“中国芯片的奥运会夺金时刻”。为什么这么说？因为英伟达的电源架构合作伙伴，就相当于芯片行业的“奥运会参赛资格”。

拿到这个资格，意味着你的技术达到了世界顶级水平。但英伟达为什么需要氮化镓？这要从AI算力爆炸说起。

2023年ChatGPT横空出世后，全球AI模型参数从千亿级直奔万亿级。算力需求每3个月翻一番，但电力系统还停留在“蒸汽机时代”。

传统数据中心，一个机柜功耗10千瓦；而训练GPT-5这样的巨型模型，单机柜功耗需要100千瓦以上。

电，成了AI发展的新瓶颈。英伟达的解决方案是800V直流电源架构。把电压从传统的415V交流提升到800V直流，同样的电线可以传输双倍电力，铜材用量减少45%，能源损耗降低30%。

但这个架构对功率芯片的要求极高——必须能在高压下高效工作，体积要小（为GPU腾出空间），可靠性要强（数据中心可受不了频繁宕机）。

氮化镓芯片成了不二选择。与传统硅基芯片相比，氮化镓的开关速度快10倍，能量损耗低50%，体积小70%。

用业内人士的话说：“氮化镓是AI时代的‘电力心脏起搏器’。”英诺赛科能入选，靠的不是运气，是十年磨一剑的技术积累。

当英伟达的工程师第一次考察苏州工厂时，他们被震撼了：全自动化8英寸生产线，每片晶圆上有超过5000个芯片，良率达到惊人的88%；

公司的测试实验室里，芯片要在-40℃到150℃的温度范围内连续工作1000小时，任何一片不合格都会导致整批产品报废。

“你们的质量标准比汽车芯片还严格。”英伟达的审核员感慨。骆薇薇的回答很实在：“因为我们知道，数据中心的故障代价是每分钟数万美元。我们的芯片，必须做到万无一失。”

合作细节更具突破性：英诺赛科不只是供应商，更是联合开发者。英伟达800V架构中的三个关键电源模块，由双方工程师共同设计。

英诺赛科贡献了氮化镓芯片的核心专利，英伟达提供了系统架构的顶层设计。

“这是一种全新的合作模式，”骆薇薇解释说，“以前是中国公司按照外国公司的图纸代工，现在是我们坐在同一张桌子上，一起画图纸。”

消息公布当天，英诺赛科股价暴涨63.64%，市值一天增加200多亿港元。资本市场用真金白银，为这次突破投下了信任票。

但更大的影响在产业层面。英诺赛科进入英伟达供应链后，国内服务器厂商、新能源汽车公司、光伏逆变器企业纷纷找上门。

“如果你们的芯片能满足英伟达的要求，那肯定也能满足我们的要求。”一家公司的突破，撬动了整个产业链的信心。这才是真正的“夺金时刻”。

2025年11月，创投圈再次被震动。企业信息查询平台上的变更记录显示：星钥半导体（武汉）有限公司新增了两位股东——厦门雅恒创业投资基金和VNTR IX HK Holdings。

穿透股权结构，背后站着两家中国顶级投资机构：红杉中国和高瓴创投。更引人注目的是，这是两家机构罕见地联手投资同一家早期科技公司。

“他们在赌一个万亿级赛道。”一位不愿具名的投资人分析道。星钥半导体是骆薇薇2022年创立的第二家公司，主攻硅基氮化镓Micro LED技术。

简单说，就是让AR眼镜、智能手表的显示屏更清晰、更省电、更轻薄。红杉中国合伙人周逵在内部投决会上说了三个理由：

第一，技术延续性，星钥共享英诺赛科的氮化镓技术平台；第二，市场爆发前夜，苹果、Meta、微软都在布局AR设备；

第三，创始人骆薇薇已经被证明“能把实验室技术变成百亿市值公司”。高瓴创投的判断更直接：“我们不是在投一家公司，是在投一个生态。”

这个生态有多大？看看这些数字：全球Micro LED市场规模预计从2025年的15亿美元，增长到2030年的1000亿美元，五年增长66倍。

而AR设备市场，预计从2025年的2000万台，增长到2030年的2亿台，成为继智能手机后的下一代计算平台。

骆薇薇的布局开始清晰呈现：左手英诺赛科，做氮化镓功率芯片，主攻“电力赛道”；右手星钥半导体，做氮化镓Micro LED，主攻“显示赛道”。

一电一光，她把氮化镓技术的两大应用方向全部握在手里。这背后的战略思维极具前瞻性。在科技行业，平台型公司比单一产品公司价值高十倍。

苹果之所以成为苹果，是因为它同时掌控了芯片（A系列）、系统（iOS）和生态（App Store）。骆薇薇想做氮化镓领域的“平台建造者”。

资本市场的嗅觉总是最灵敏的。从英诺赛科的融资历程就能看出轨迹：2017年A轮，国资背景的珠海基金领投，看中的是“国产替代”的政治意义；

2020年B轮，宁德时代创始人曾毓群个人投资2亿元，看中的是新能源汽车的电力需求；2023年C轮，华登国际、中金资本入局，看中的是数据中心和AI的爆发；

2025年，红杉高瓴联手投资星钥半导体，看中的是下一代计算平台的入口。每一轮融资，都对应着一个产业趋势的崛起。资本不是撒钱，是在下注未来。

更精彩的是产业协同效应。星钥半导体不需要从头建设生产线，它可以共享英诺赛科的8英寸晶圆厂；英诺赛科的氮化镓外延技术，稍作调整就能用于Micro LED制造；

两家公司的研发团队经常一起开技术研讨会，碰撞出跨界创新的火花。“很多人问我，为什么在英诺赛科上市后还要二次创业。”骆薇薇在一次采访中说，

“因为我看清楚了：氮化镓不是一种产品，而是一个技术平台。就像智能手机不只是打电话的工具，而是移动互联网的入口。”

红杉高瓴的重仓，是对这个判断的终极背书。在创投圈，这两家机构的联手被视为“风向标事件”——当他们同时押注一个赛道时，这个赛道大概率会成为未来五年的爆发点。

果不其然，消息公布后一个月内，超过20家VC机构联系星钥半导体，希望能参与下一轮融资。一家公司的融资，变成了整个赛道的狂欢。

英诺赛科的最新财报透露了更多细节：2025年上半年，公司营收同比增长43.4%，达到5.53亿元；毛利率首次由负转正，从去年同期的-21.6%提升到6.8%；

AI和数据中心业务销售额暴涨180%，占总营收比重从15%上升到35%。更值得关注的是亏损收窄：上半年净亏损4.29亿元，同比减少12.16%。

按照这个趋势，公司有望在2026年实现季度盈利。“我们正在爬过最陡的坡。”骆薇薇在分析师电话会议上说。

她指的“陡坡”包括：投资50亿元建设的苏州工厂还在折旧期；研发投入占营收比例高达40%，远高于行业平均的15%；国际专利诉讼每年消耗数千万法律费用。

但这些投入正在转化为护城河。截至2025年6月，英诺赛科在全球拥有319项授权专利，另有430项专利申请在审。

这些专利覆盖了从外延生长、芯片设计到封装测试的全链条。“在半导体行业，专利不是纸，是盾牌和长矛。”法务总监说得很形象。

国际巨头的态度也在微妙变化。2023年，美国宜普公司起诉英诺赛科专利侵权；2024年，德国英飞凌加入诉讼行列。

但到了2025年下半年，情况变了——安森美半导体主动寻求合作，希望基于英诺赛科的8英寸平台开发新产品。

从被告席到合作桌，中国芯片企业花了二十年。但骆薇薇清楚，真正的挑战还在后面。英伟达的合作打开了大门，但要在这扇门里站稳，需要持续的技术迭代。

她的办公桌上摆着三张路线图：第一张是工艺路线，从8英寸向12英寸进军，单片芯片数量再翻一倍；

第二张是产品路线，从分立器件向集成模块发展，为客户提供“交钥匙”解决方案；第三张是市场路线，从中国走向全球，在欧美设立研发中心。

“我们的目标不是做中国的英飞凌，而是做世界的英诺赛科。”她说这话时，语气平静但坚定。这背后是一个更大的时代背景：

2025年，中国新能源汽车销量占全球65%，光伏装机容量占全球40%，5G基站数量占全球70%。这些终端产业的爆发，催生了对国产芯片的海量需求。

英诺赛科踩中了所有节点：新能源汽车需要氮化镓充电芯片，光伏逆变器需要氮化镓功率模块，5G基站需要氮化镓射频芯片。

“我们赶上了国运。”骆薇薇不避讳这一点，“但赶上了还要能抓住，抓住还要能领先。这需要一代人的拼命。”

她的“拼命”是有名的。直到今天，公司高管都知道：给骆薇薇发邮件，凌晨两点前大概率会收到回复；重要项目攻关期，她会直接睡在办公室；

和年轻工程师讨论技术问题，她能连续站四个小时不休息。但这种“拼命”正在制度化、体系化。英诺赛科建立了“博士工作室”，每个核心技术方向都有一位首席科学家负责；

公司每年将营收的20%投入研发，这个比例在国内芯片公司中排前三；与清华大学、浙江大学共建联合实验室，把学术界的最新成果快速产业化。

“个人英雄主义的时代过去了，”骆薇薇说，“我们现在要打造的是系统性的创新能力。”

从NASA科学家到739亿市值掌舵人，骆薇薇用了十年。这十年，是中国芯片从“卡脖子”到“挺起腰”的关键十年。

“我们还有很长的路要走。”骆薇薇常常对团队说，“但至少，这条路我们已经找到了方向，并且在这条路上，我们不再孤单。”

如今，英诺赛科的每股80.800港元不是终点，甚至不是中点。在中国芯片的马拉松赛道上，真正的冲刺，刚刚开始。

而骆薇薇和她的团队，已经系好了鞋带，调整好呼吸，目光坚定地望向前方那条长长的、充满挑战但也充满希望的跑道。

这条路没有捷径，只有坚持；没有奇迹，只有累积。但正是这样的路，走出了中国硬科技的今天，也将走出中国创新的明天。